[发明专利]具有波纹形电极的叠层电容器

权利要求书

1.一种电容器，包括一个第一电极、一个与所述第一电极相对的第二电极、和一个置于第一电极和第二电极之间的绝缘介质薄膜，其特征在于，所述第一电极包括一个从剖看由一系列折迭部分分段构成的波纹形电极。

2.一种如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述波纹形电极是由一座由一种导电材料构成的波纹形的墙壁界定的，所述波纹形的墙壁包括所述的一系列折迭的部分并围成一个在其内的空区。

3.一种如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述第一电极包括一个由一种导电材料构成的底层薄膜，所述的波纹形电极电连接于该底层薄膜并具有一个裸露的表面。

4.一种如权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述绝缘介质薄膜覆盖在所述波纹形电极的裸露的表面上。

5.一种如权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述绝缘介质薄膜被第二电极所覆盖。

6.一种如权利要求5所述的电容器，其特征在于，所述第二电极是被淀积在所述绝缘介质薄膜上的，并与第一电极相对。

7.一种如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述波纹形电极是由一个导电薄膜形成的。

8.一种如权利要求7所述的电容器，其特征在于，所述导电薄膜是由掺杂质的多晶硅构成的。

9.一种如权利要求8所述的电容器，其特征在于，所述波纹形电极是由一座由导电材料构成的波纹形的墙壁界定的，所述波纹形的墙壁包括所述的一系列的折迭部分并围成一个在其内的空区。

10.如权利要求9所述的电容器，其特征在于，所述第一电极包括一个由导电材料构成的底层薄膜，所述的波纹形电极电连接于该底层薄膜并具有一个裸露的表面。

11.一种如权利要求10所述的电容器，其特征在于，所述绝缘介质薄膜覆盖在所述波纹形电极的裸露的表面。

12.一种如权利要求11所述的电容器，其特征在于，所述绝缘介质薄膜被第二电极所覆盖。

13.一种如权利要求12所述的电容器，其特征在于，所述第二电极是被淀积在所述绝缘介质薄膜上的，并与第一电极相对。

14.一种如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述波纹形电极是由具有不规则表面的导电薄膜构成的。

15.一种如权利要求14所述的电容器，其特征在于，所述不规则表面是由颗粒的排列形成的。

16.一种如权利要求15所述的电容器，其特征在于，所述的颗粒是由多晶硅的晶粒组成的。

17.一种如权利要求14所述的电容器，其特征在于，所述的不规则表面是通过处理掺有一种杂质的非晶硅而形成的。

18.一种作为存贮单元来工作的半导体器件，由一个晶体管和一个电连接于所述晶体管的电容器构成，所述电容器包括一个与所述晶体管相连的第一电极、一个与第一电极相对的第二电极、以及一个置于第一电极和第二电极之间的绝缘介质薄膜，其特征在于，所述第一电极包括一个从剖面看由一系列折迭部分分段构成的波纹形电极。

19.一种如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于，所述波纹形电极是由一座由导电材料构成的波纹形墙壁界定的，所述波纹形的墙壁包括所述的一系列折迭的部份并围成一个在其内的空区。

20.一种如权利要求19所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极包括一个由导电材料构成的底层薄膜，所述的波纹形电极电连接于该底层薄膜并具有一个裸露的表面。

21.一种如权利要求20所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘介质薄膜覆盖在波纹形电极的裸露的表面上。

22.一种如权利要求21所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘介质薄膜被第二电极所覆盖。

23.一种如权利要求22所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极是被淀积在所述绝缘介质薄膜上的，并与第一电极相对。

24.一种如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于，所述波纹形电极是由一个导电薄膜形成的。