[发明专利]互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1、一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其在-P型衬底上，形成N沟道场效应晶体管和P沟道场效应晶体管，其步骤如下：

(a)提供一硅衬底，其上至少已形成P型势阱、N型势阱、数个栅极和栅极氧化层；

(b)以数个栅极为光掩模，对于硅衬底全面性进行N^-离子注入，以形成第一N^-型离子轻掺杂漏极注入区，第一N^-型离子的注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为20度至70度；

(c)形成侧壁隔离层；

(d)应用第一光掩模，遮住欲形成所述P沟道场效应晶体管的区域，进行第一N⁺型离子注入，以形成第一N⁺型离子注入区，第一N⁺型离子的注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为20度至70度，不去除光掩模，然后再进行第二N⁺型离子注入，以形成第二N⁺型离子注入区，离子注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为0度至7度；

(e)应用第二光掩模，遮住欲形成N沟道场效应晶体管区域，进行P^-型离子注入，以形成P^-型离子注入区，离子注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为20度至70度之间，不去除光掩模，然后再进行第一P⁺型离子注入，以形成第一P⁺型离子注入区，第一P⁺型离子的注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为0度至7度；

(f)在场氧化层和晶体管元件上，淀积绝缘层；

(g)应用第三光掩模，以传统光掩模蚀刻方法蚀刻掉场氧化层与栅极中间的绝缘层，露出部分第二N⁺型离子注入区及部分第一P⁺型离子注入区，形成接触窗。

2、根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N^-型离子的注入物种为磷，注入浓度为5E12-5E13cm^-2间，注入能量为30KeV和80KeV间。

3、根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一N⁺型离子注入的物种为砷，其浓度为1E15-5E15cm^-2，其注入能量为60KeV和90KeV间。

4、根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述侧壁隔离层宽度在0.2微米至0.4微米间。

5、根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二N⁺型离子的注入物种为磷，其浓度为3E15-6E15cm^-2，其注入能量为30KeV和80KeV间。

6、根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述P-型离子注入的物种为BF₂，其注入浓度为1E13-3E13cm^-2，其注入能量为30KeV和120KeV间。

7、根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一P⁺型离子注入物种为BF₂，注入浓度为2E15-6E15cm^-2，注入能量为30KeV和60KeV间。

8、根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述场氧化层和晶体元件上，淀积的绝缘层为一双层结构，其中上层为硼磷硅酸盐玻璃层材料，下层为未掺杂离子的二氧化硅绝缘层。