[发明专利]用于阳极粘接电容式传感器的电极结构和方法

权利要求书

1.一种阳极粘接电容式传感器，它包括：

具有框架结构的检测元件；

至少一层阳极粘接到这个框架结构并且具有一个在检测元件附近的金属检测电极的玻璃层；

以及一层位于玻璃层和金属检测电极之间的交界面阻挡层。

2.权利要求1的阳极粘接电容式传感器，其中：

所述的交界面阻挡层含有氮化物。

3.权利要求1的阳极粘接电容式传感器，其中：

所述的交界面阻挡层由氮化硅薄膜构成。

4.权利要求3的阳极粘接电容式传感器，其中：

金属检测电极包含钛。

5.权利要求3的阳极粘接电容式传感器，其中：

金属检测电极是一个多层结构，其中导电材料层淀积在含钛层上。

6.权利要求1的阳极粘接电容式传感器，其中：

所述的交界面阻挡层由通过在含氮气氛中喷射硅而制成的氮化硅构成。

7.权利要求6的阳极粘接电容式传感器，其中：

所述的交界面阻挡层是使用离子喷枪溅射的。

8.权利要求1的阳极粘接电容式传感器，其中：

检测元件和框架结构由半导体材料构成。

9.权利要求1的阳极粘接电容式传感器，其中：

检测元件和框架结构由硅构成。

10.权利要求1的阳极粘接电容式传感器，其中：

检测元件和框架结构由单片硅体构成。

11.权利要求1的阳极粘接电容式传感器，其中：

所述至少一层玻璃层是由在检测元件和框架结构的每一面上的独立玻璃层构成。

12.一种阳极粘接电容式传感器，它包括：

由半导体材料制成的大体是平面的检测元件和框架结构；

一对阳极粘接到框架结构相对表面上的玻璃层，每个所述玻璃层都具有空间相对于检测元件的金属检测电极；

以及位于每个玻璃层和它的金属检测电极之间的包含氮化物的交界面阻挡层。

13.一种阳极粘接电容式传感器，它包括：

铰合连接在框架结构上的大体为平面的检测体，这个检测体和框架结构由单片硅体构成；

一对阳极粘接到框架结构相对方向表面的玻璃层，每个所述玻璃层有与检测体空间相对的金属检测电极；

位于每个玻璃层和它的金属检测电极之间的交界面氮化物膜。

14.一种制造电容式传感器的方法，它包括的步骤有：

提供连接到框架结构上的检测元件；

根据检测元件提供至少一块具有预选面积的玻璃；

在这块玻璃预定的面积上形成阻挡层；

在所述的阻挡层上淀积金属检测电极；

将玻璃层阳极粘接到框架结构上，使检测元件与金属检测电极空间相对。

15.权利要求14的制造方法，其中：

检测元件和框架结构由半导体构成。

16.权利要求14的制造方法，其中：

检测元件和框架结构由硅构成。

17.权利要求15的制造方法，其中：

阻挡层基本上由氮化硅组成。

18.权利要求14的制造方法，其中：

阻挡层通过在含氮气氛中喷射硅而形成。

19.权利要求14的制造方法，其中：

使用电子喷枪喷射硅。

20.权利要求14的制造方法，其中：

阻挡层通过孔板淀积。

21.权利要求14的制造方法，其中：

阻挡层通过发射(lift-off)光刻胶过程成型。

22.一种制造惯性传感器的方法，它包括的步骤有：

提供连接到框架结构上的检测体；

根据检测体提供至少一块具有预选面积的玻璃；

在这块玻璃的预选面积上形成的氮化层；

在所述成型的氮化层上淀积金属检测电极；

将玻璃层阳极粘接到框架结构上，使检测体与金属检测电极空间相对。