[实用新型]用于晶闸管辐照加工工艺的卡具无效
| 申请号: | 93240231.3 | 申请日: | 1993-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN2177292Y | 公开(公告)日: | 1994-09-14 |
| 发明(设计)人: | 刘齐凡 | 申请(专利权)人: | 首钢总公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 首都钢铁公司专利代理事务所 | 代理人: | 李本源 |
| 地址: | 100041 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 晶闸管 辐照 加工 工艺 卡具 | ||
本实用新型属于利用辐照处理半导体器件、特别是晶闸管的一种辅助装置。
目前普遍采用的晶闸管辐照工艺是不加任何辅助装置,直接将晶闸管暴露在辐照源下,由辐照源对整个晶闸管管芯进行辐照。通过辐照在晶闸管内形成一定数量的晶格缺陷,使少数载流子寿命降低,从而使晶闸管的性能发生以下变化:
(1)断态重复峰值电压和反向重复峰值电压略有上升;
(2)门极触发电流与触发电压增大;
(3)断态不重复平均电流和反向不重复平均电流明显下降;
(4)通态平均压降增大。
其中(1)、(3)条为现有辐照方法的优点,第(3)条可以用来将门极触发电流与电压偏小的加以适当提高。第(4)条则是其缺点。它造成的影响是:
①由于通态正向压降增大而超标,变成废品。
②通态正向压降增大虽不超标,但功耗加大,不仅浪费能源,而且引起晶闸管结温升高,工作不稳定。
③为避免通态正向压降过分增大,只有限制辐照剂量,则其优点不能充分发挥,特别是控制极触发电流和电压,其增加量很难超过原值的10%。
《电力电子技术》1982年第2期由上海整流器厂张增光、姚安康发表的《电子辐照对晶闸管电学参数的影响》一文中,分别给出了辐照剂量与断态重复峰值电压及反向重复峰值电压、断态重复平均电流和反向重复平均电流、门极触发电流与触发电压、通态平均压降这几个参数的关系曲线。从图中可以查出,当控制极触发电流从38mA增加到55mA时,需要辐照剂量为7×1013个/cm2,对应于同一剂量正向通态平均压降已从0.6V增大到2.5V,远远超过规定值1.2V成为废品。这就说明了由于存在通态平均压降增大的限制,用一般技术不可能明显的增大门极触发电流。同理,其他优点也不能充分发挥。
本实用新型的任务是提供一种晶闸管辐照加工工艺中的卡具,辐照时,采用它能在正向通态压降基本不变的前提下,方便地增大控制极触发电流和触发电压,同时断态不重复平均电流和反向不重复平均电流明显下降,断态重复峰值电压和反向重复峰值电压略有上升。
为解决上述任务,本实用新型采用的解决方案是:提供一种卡具,卡具的上面有一块面板,该面板能有效地阻挡射线的通过。板上开有孔洞,以便于射线从孔洞中通过。孔洞的数量与一次要辐照的闸管数相同,孔洞的形状、大小与晶闸管的控制极及其附近区域相对应。先将晶闸管装入卡具,再进行辐照。此时由于控制极及附近区域正对着孔洞而受到辐照,并在其内部产生晶格缺陷,其余部分即电流的主要导通部分由于被屏蔽而基本不发生变化,这样就达到了通态正向压降基本不变的目的。在此前提下,就可以根据实际需要来选取辐照剂量,充分发挥辐照工艺加工的优点。
上述面板一般采用铝板或不锈钢板制造,也可以用其他材料制造,但要求材料密度大于0.8g/cm3。其厚度按下列公式选取:
d≥E/8ρ
其中:d为厚度,单位:cm。
E为辐照剂量,单位:Mev。
ρ为密度,单位:g/cm3。
面板上的孔洞形状与控制极的形状相对应,它的边界范围是按以下方式确定的:以控制极为基准,向内扩展0.5cm,向外扩展3.5cm,孔洞的边界线在此区域内选取。
为适应各种控制极不同形状和大小要求,还有一套开有相应孔洞的插件,可根据控制极的具体情况选择合适的插件插入面板的孔洞中。
孔洞中充有空气或其他物质,其厚度与密度的乘积小于其他部分相应值的一半。
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。
图1是卡具的主视图,图2是俯视图。卡具是由面板1、底板2、弹性软垫3、橡胶薄层6、铰链7和锁扣8组成。为适应某种园型控制极的需要,面板1上的孔洞5做成园型。橡胶薄层6贴在面板1的下面,弹性软垫3固在底板2的上面,用于夹持晶闸管管芯。面板1和底板2的一边用铰链7连接,另一边用锁扣8连接。弹性软垫3上画有包括直径为26、35、40、52、65、76mm及用户生产的管芯的其他直径的同心园。弹性软垫3、管芯4与孔洞5的关系如图3所示。
为适应有的控制极尺寸较小的需要,还有一套开有相应尺寸孔洞的插件9,如图4所示。可根据控制极的具体情况选择合适的插件插入面板1的孔洞5中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





