[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于：

在衬底上选择形成含有催化作用的材料的物质；

在所说的衬底上形成基本上为非晶态并且与说的物质相接触的硅膜；以及

在至少包含氧、氮、氢中的一种气体的气氛中将衬底退火；

其中所说的硅膜的结晶化是在退火中由所说的催化作用引起的。

2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于，所说的催化作用，使所说的硅膜容易在低温基本上结晶化为非晶态。

3.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于，所说的半导体器件是电光器件、薄膜晶体管或集成电路。

4.根据权利要求2的制造半导体器件的方法，其特征在于，结晶硅膜包括薄膜晶体管的有源区部分。

5.一种制造半导体器件的方法，其特征在于：

在衬底上选择形成含有选自镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金和银及其结合构成的组中的一种材料的物质的第一步骤；

在第一步骤之后，形成基本上呈非晶状态的硅膜的第二步骤；

在至少含有氧、氮和氢中的一气体的气氛中，退火衬底的第三步骤；以及

将所说的硅膜构成岛状的第四步骤。

6.根据权利要求5的制造半导体器件的方法，其特征在于，采用所说的退火，从设置物质的宽20-200m的区域横向选择生长晶体。

7.根据权利5的制造半导体器件的方法，其特征在于，所说的第三步骤当中，所说的气氛随时间从氧、氮和氢气中的一种变为氧、氮和氢中的另一种气体。

8.根据权利要求5的制造半导体器件的方法，其特征在于所说的半导体器件是电光器件，薄膜晶体管或集成电路。

9.一种制造半导体器件的方法，其特征在于：

在衬底上形成基本呈非晶态的硅膜的第一步骤；

在第一步骤之后，选择形成含有选自镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金和银及其结合构成的组中的一种材料的物质的第二步骤；

在至少含有氧、氮和氢中的一种气体的气氛中，退火衬底的第三步骤；以及

将所说的硅膜构图形成岛状的第四步骤。

10.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其特征在于它还在第三步骤之后，用含有氢氟酸或氢氯酸的酸处理衬底的一个步骤。

11.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其特征在于，晶体是用所说的退火，从设置物质的宽20-200μm的区域横向选择生长的。

12.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所说的第三步骤当中，所说的气氛随时间从氧、氮和氢中的一种变为氧、氮和氢中的另一种气体。

13.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其特征在于，所说的半导体器件是电光器件、薄膜晶体管或集成电路。

14.一种制造半导体器件的方法，其特征在于：

在衬底上形成基本呈非晶态的硅膜的第一步骤：

形成一掩膜涂覆膜，使其具有掩模作用的厚度的第二步骤；

将所说的掩模涂覆膜刻图，露出所说的硅膜表面的第三步骤；

形成含有选自镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金和银及其结合构成的组中的一种材料的涂覆膜的第四步骤；

在第四步骤之后，热退火衬底，使在第四步骤形成的涂覆膜与硅膜反应，产生硅化物层的第五步骤；

去掉在第四步骤形成的涂覆膜的第六步骤；以及

在含有氧、氮和氢中的一种气体的气氛中，退火衬底，使邻近所说的硅化物层的硅膜沿横向结晶化的第七步骤。

15.根据权利要求14的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所说的第七步骤当中，所说的气氛随时间从氧、氮和氢中的一种变为氧、氮和氢中的另一种气体。

16.根据权利要求14的制造半导体器件的方法，其特征在于，所说的半导体器件是电光器件，薄膜晶体管或集成电路。

17.根据权利要求14的制造半导体器件的方法，其特征在于，结晶硅膜包括薄膜晶体管的有源区部分。