[发明专利]具有多个磁轭的薄膜磁头无效
| 申请号: | 93105030.8 | 申请日: | 1993-05-03 |
| 公开(公告)号: | CN1078567A | 公开(公告)日: | 1993-11-17 |
| 发明(设计)人: | 丹尼尔·A·奈波拉;程西成;埃里克·P·瓦尔斯丁;埃德加·M·威廉姆斯;彼德·G·比少夫 | 申请(专利权)人: | 里德-莱特公司 |
| 主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 陆立英 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 多个磁轭 薄膜 磁头 | ||
本发明涉及薄膜磁头,特别涉及具有多个磁轭的薄膜磁头结构。
薄膜磁头已在数据处理例如盘驱动器中得到广泛的应用。典型的薄膜磁头主要包括一个非磁性的陶瓷基底,一个由第一和第二磁臂或磁极构成的磁轭,在两磁极顶点之间具有一个传感间隙,还有一个导电线圈,它与磁轭感应耦合。在磁轭中产生的磁通与导电线圈中的电流有交互作用,以完成在数据处理单元的写入和读取模式中的数据信号的转换。随着磁轭与线圈之间的磁通交互作用量的增加,在数据处理过程中感应的电压信号也相应地增加。
在一个现有技术(例如已公开的欧洲专利申请400,793)薄膜磁头装置中,利用一个或多个线圈缠绕(intertwining)在单一磁轭的一对磁臂上,可提供多个磁通交连。磁轭屈折地穿过线圈的开口并与线圈缠绕,以形成至少两个通路穿过线圈结构物。在上述申请中所述装置的磁轭臂沿一个方向纵向地伸展,而线圈结构物也纵向地伸展,设计其螺旋面与磁轭的纵向相垂直。显然,上述申请所述的沿着磁轭的长度要求较长的线圈结构物,这会不希望地增加线圈的电阻和磁路的磁阻,从而导致热噪声的增加。
本发明的一个目的是提供一种这样的薄膜磁头,亦即它能获得明显地比现有技术的薄膜磁头更高的记录信号。
本发明的另一个目的是提供一种这样的薄膜磁头,亦即它具有降低了的电路电阻,以降低磁器件中的热噪声,从而增加了该器件的信噪比。
本发明的又一目的是提供一种这样的薄膜磁头,亦即它具有降低了的电感,因此可得到改善了信噪比,特别是在高频的情况下。
本发明的再一个目的是提供一种这样的薄膜磁头,亦即它改进了空间和陶瓷片表面积的利用率,在该陶瓷片上安置有多重磁头。
在本发明的一个实施例中,一个薄膜磁头组件由多个磁轭配置而成,这些磁轭与至少一个导电线圈相互作用。每个磁轭都包括第一和第二轭臂(或部分),分别指定称为P1部分和P2部分,它们的后部和前部相互串联以形成一个连续的磁通路径。线圈最好是平面的,而且靠近传感间隙,还包括一个相对的顶边及两个连接着的侧边。这多个磁轭等距离地在与线圈底边和线圈顶边平行的方向上等间距紧密地排列。每个磁轭的P2部分都叠放在各自的P1部分上,以使每个磁轭都在线圈周围形成一个套。磁轭套的P1和P2部分在与线圈面正交的方向上基本上共同伸展并且相互对准。P1和P2磁轭部分分别与相邻磁轭的P2和P1磁轭部分连接以形成一个连续的磁通路径。一个传感间隙位于第一磁轭的P1磁极片的端头与最后一个磁轭的P2磁极片的端头之间。多个磁轭套与线圈的交互作用产生了多个磁通交连,并且明显地增加了感应耦合。其结果是,薄膜磁头的输出信号明显地增加和热噪声明显地减小。
在另一个实施例中,环绕着线圈的磁轭套的P1磁轭部分相对于P2磁轭部分有一个角度。有角度的P1磁轭部分相互平行并且相互等距离相间隔。P2磁轭部分也是相互等距离相间隔且相互平行,而且平行于平面线圈的侧面。
在本发明的又一个实施例中P1和P2磁轭部分,部分共同伸展,部分不共同伸展。
参照以下附图将对本发明作更详细地描述。
图1A示出本发明的薄膜磁头组件的一个优选实施例的立体图,它仅示出半个线圈。
图1B示出图1A的实施例的平面图,但缩小了尺寸。
图2示出本发明另一个实施例的立体图。
图3示出应用本发明的概念而配置的又一种结构平面图。
图4示出应用本发明的概念而配置的再一种结构的平面图。
上述附图中相类似的元件标以相同的标号。我们应能理解这些附图并未示出真实的比例。
参照图1A和1B,图中示出一个具有多重磁轭10、12、14、16的薄膜磁头,它例如由坡莫合金制成,它们与导电线圈18感应地耦合。图中仅示出了线圈18的一半,整个线圈的中心线CL穿地节点(vias)20a到20d。每个磁轭包括一个第一坡莫合金部分P1和一个第二坡莫合金部分P2,它们分别经节点20a到20d在磁轭的背部连接,并经节点22、24和26在前部连接。每个磁轭的P1和P2部分形成一个环绕线圈底部30的套。P1和P2磁轭部分较窄,例如大约10-30μm,并且,磁轭之间的间隔也要有效地减小,以使在线圈两边之间的区域内排列的磁轭数量多。相邻磁轭之间较好的横向间隔尺寸是大于一个磁轭的P1和P2部分之间的垂直间隔的一半。
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