[实用新型]大电流半导体器件

权利要求书

1、大电流半导体器件，由导热载体、电极、芯片、内引线及包封物组成，其特征是，所述内引线是同时具有最大的或较大的表面积和截面积，且具有最短或较短的大电流电极内引线。

2、如权利要求1所述的大电流半导体器件，其特征在于，所述内引线是多根并连引线。

3、如权利要求1所述的大电流半导体器件，其特征在于，芯片上的内引线焊点是一点两线式。

4、如权利要求1所述的大电流半导体器件，其特征在于，所述的内引线为金属箔、片、丝，材料为Al、Ag、Cu、Au或其合金。

5、如权利要求1所述的大电流半导体器件，其特征在于，芯片上的大电流电极位于管基相应电极的最近处。

6、如权利要求1所述的大电流半导体器件，其特征在于，芯片附近的管基上有高度等于或略高于芯片上表面的导热平台，其上焊接内引线。

7、如权利要求1或6所述的大电流半导体器件，其特征在于，所述导热平台材料为金属或表面金属化了的绝缘导热片。

8、如权利要求1或6所述的大电流半导体器件，其特征在于，导热平台到引出电极的引线是下列之一：

（1）键合引线，（2）单体连心线，（3）向心线，（4）复合引线。

9、如权利要求1所述的大电流半导体器件，其特征在于，导热载体是下列之一：

（1）共地化半导体器件封装件，

（2）选极晶体管管基，

（3）普通晶体管管基，

（4）模块基板。

10、如权利要求1所述的大电流半导体器件其特征在于，芯片可以是下列之一：（1）双极晶体管，（2）FET晶体管，（3）混合或复合类型晶体管。