[发明专利]高分辨率编码器无效

专利信息
申请号: 90107829.8 申请日: 1990-09-18
公开(公告)号: CN1019409B 公开(公告)日: 1992-12-09
发明(设计)人: 迈克尔·C·布劳尔;阿尔弗雷德·J·桑托斯 申请(专利权)人: 托林顿公司
主分类号: F16C32/00 分类号: F16C32/00;G01B7/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 马铁良,张志醒
地址: 美国康*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 高分辨率 编码器
【权利要求书】:

1、一种编码器,具有一个有一定厚度及宽度的可磁化体,沿该可磁化体等距离地布置多个磁极对(MPP),所述MPP在相邻极对间存在一极间距,其特征在于:所述极间距的取值范围从约0.01英寸至约0.1英寸的数值范围,每个所述MPP具有的参考磁通密度(Fr)的值,在距所述编码器表面0.036英寸的距离处、在约+20℃温度时在约2高斯至约700高斯的范围;

每个所述Fr值根据下式与极间距值的取值范围有关:

Fr=(k1)(X)-(K2)(140×2)+(K3)(7920×3)

式中:K1=158至1056高斯/英寸

K2=158至1056高斯/英寸2

K3=158至1056高斯/英寸3

      X=相邻MPP之间的极间距,及

Fr为当K1,K2及K3数值相等时,在+20℃温度下的参考磁通密度范围(单位为高斯)。

2、根据权利要求1的一种编码器,其特征还在于:所述温度在约摄氏-40°至约摄氏+200°的范围中变化,所述参考磁通密度(Fr)根据下式随温度变化:

Ft=(Fr){1-(K4)(△T)}

式中:Fr为在20℃时的参考磁通密度(单位为高斯);Ft为某一温度时的磁通密度;△T为真实温度减去20℃的差;及K4为对于所述可磁化体的温度系数。

3、根据权利要求1的一种编码器,其特征还在于:取所述厚度等于极间距的1.25倍使所述的磁化体的厚度优化,它相当于使可磁化体厚度在约0.0125英寸到约0.125英寸的范围内取值。

4、根据权利要求3的一种编码器,其特征在于:所述厚度系数变化为+/-25%。

5、一种编码器,具有一个有一定厚度和宽度的磁化体,沿该可磁化体等距离地布置多个磁极对(MPP),所述MPP的相邻极对间存在一极间距,其特征在于:所述可磁化体由铁酸锶及及铁酸钡形成的材料组中的一种材料制成,其填充系统为33%,所述极间距的取值范围约0.01英寸至约0.1英寸,每个所述MPP在距所述编码器表面0.036英寸的距离处,约+20℃温度时具有参考磁通密度(Fr)的值,在约2高斯至约158高斯的范围内,所述每个Fr值根据下式与极间距值的取值范围相关:

Fr=(k5)(X)-(K6)(140X2)+(K7)(7920X3

式中:K5为158至230高斯/英寸;K6为158至230高斯/英寸2;K7为158至230高斯/英寸3;X为相邻MPP之间的极间距;及Fr为当K5,K6及K7数值相等时,在+20℃温度下,参考磁通密度的范围(单位为高斯)。

6、根据权利要求5的一种编码器,其特征还在于:所述温度在约-40℃至约+200℃的范围中变化,所述参考磁通密度(Fr)根据下式随温度变化:

Ft=(Fr){1-(Ks)(△T)}

式中:Fr为在20℃及填充系数为33%时的参考磁通密度;Ft为填充系数为33%时的特定温度下的磁通密度;△T为真实温度减去20℃的差;及Ks为对于铁酸锶或铁酸钡的温度系数(每摄氏度约为0.18%)。

7、根据权利要求6的一种编码器,其特征在于:所述特定温度的磁通密度(Ft)根据下式随填充系统变化:

F=(Ks/0.33)×(Ft)

式中:F为特定温度及填充系数时的磁通密度,及k9为铁酸锶或铁酸钡的真实填充系统。

8、根据权利要求5的一种编码器,其特征在于:取所述的可磁化体厚度等于极间距的1.25倍使其厚度优化,它相当于使该可磁化体厚度在约0.0125英寸到约0.125英寸范围内。

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