[发明专利]膜形成方法无效
| 申请号： | 90106054.2 | 申请日： | 1990-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1027087C | 公开（公告）日： | 1994-12-21 |
| 发明（设计）人： | 仲间宏 | 申请（专利权）人： | 大和化工株式会社 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00;C23C28/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1、膜形成方法，其特征在于，该方法包括以下的步骤：
将对基板附着性差的第1膜沉积在该基板上的工艺步骤，
在上述第1膜上设置到达上述基板表面的微细且高密度孔的工艺步骤，
在上述多孔性第1膜上形成对上述基板附着性高的第2膜从而将该多孔性第1膜紧紧保持在基板上的工艺步骤。
2、根据权利要求1所述的膜形成方法，其特征在于，在第1膜上设置微细孔的工艺，是通过在该第1膜上散布耐蚀性微粒子后，以该粒子作为掩膜对第一膜刻蚀而进行的。
3、根据权利要求1所述的膜形成方法，其特征在于，在第1膜上设置微细孔的工艺，是使已形成微细孔的掩膜介于中间，对保护膜进行曝光、显影，并以该保护膜作为掩膜对第1膜刻蚀而进行的。
4、根据权利要求1-3中任何一项所述之膜成形方法，其特征在于，上述基板由陶瓷、玻璃、塑料、金属、合金或宝石构成，上述第1膜由金膜、白金膜、银膜、铟膜、铜膜、镍膜、铬膜等金属膜，或这些金属的合金膜，或TiN膜等金属化合物膜构成，上述第2膜由釉膜、SiO膜、SiO2膜、铍膜、A1膜、钼模、铅膜、钨膜，或金属的合金膜，或有机金属化合物膜构成。
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