[发明专利]一种制备酞菁类光电导体的方法无效
| 申请号: | 88100213.5 | 申请日: | 1988-01-04 |
| 公开(公告)号: | CN1010348B | 公开(公告)日: | 1990-11-07 |
| 发明(设计)人: | 汪茫;马兴法;杨士林 | 申请(专利权)人: | 浙江大学;湛江市复印机工业公司 |
| 主分类号: | G03G5/06 | 分类号: | G03G5/06 |
| 代理公司: | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人: | 张法高 |
| 地址: | 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制备 酞菁类 光电 导体 方法 | ||
1、一种制备酞菁类光电导体的方法,它是先将阻挡层材料,光生载流子发生材料和光生载流子传输材料,按特定方法制备成液体或悬浮体,然后在一定面积的导电基体上,逐一地涂复阻挡层、光生载流子发生层、光生载流子传输层而制成功能分离型的双层光电导体的方法,其特征在于所说的光生载流子发生材料的制备方法为:
A.用酞菁类共混复合物作为双层光电导体的光生载流子发生层材料;
B.用二种不同的酞菁类化合物通过共混的方法,制备酞菁类共混复合物;
C.将上述酞菁类共混复合物与聚甲基丙烯酸甲酯混合,配成酞菁类共混复合物均匀地悬浮在聚甲基丙烯酸甲酯的树脂溶液中,然后用浸渍法涂复。
2、按权利要求1所述的一种制备酞菁类光电导体的方法其特征是:
A.所说的二种不同的酞菁类化合物是指酞菁亚铁与酞菁铜或酞菁镁或氯化酞菁铟;
B.所说的将上述酞菁类共混复合物与聚甲基丙烯酸甲酯混合的混合比为1∶9~0.5∶9.5,配成氯仿或四氢呋喃的溶液浓度在2~5%(重量)为宜。
3、按权利要求1或2所述的一种制备酞菁类光电导体的方法,其特征是酞菁铜在共混复合物中占20~30%(重量),酞菁镁在共混复合物中占45~50%(重量),氯化酞菁铟在共混复合物中占20~30%(重量)为宜。
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