[发明专利]一种发光二极管外延片制备方法及外延片有效
| 申请号： | 202310813855.5 | 申请日： | 2023-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN116525730B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 徐超 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长缓冲层；
对已生长所述缓冲层的所述衬底进行预处理；
在经预处理后的所述缓冲层上生长非掺杂GaN层；
在所述非掺杂GaN层上生长复合缺陷阻挡层；所述复合缺陷阻挡层包括依次生长于所述非掺杂GaN层上的CrAlN缺陷阻挡层、InSiN缺陷阻挡层及二维GaN层；
在所述CrAlN缺陷阻挡层上生长所述InSiN缺陷阻挡层之前，先在所述CrAlN缺陷阻挡层上生长InN牺牲层，然后使所述InN牺牲层在H2气氛中经1000℃～1300℃的温度分解后，再在所述CrAlN缺陷阻挡层上生长所述InSiN缺陷阻挡层；
在所述复合缺陷阻挡层上依次生长n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及p型GaN层；
所述CrAlN缺陷阻挡层的生长厚度为1nm～100nm，所述InSiN缺陷阻挡层的生长厚度为1nm～100nm，所述二维GaN层的生长厚度为50nm～500nm；
所述CrAlN缺陷阻挡层的Cr组分为0.01～0.5；
所述InSiN缺陷阻挡层的In组分为0.01～0.1。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述InN牺牲层在H2气氛中的压力为50torr～300torr。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述InN牺牲层的生长厚度为1nm～50nm。
4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述CrAlN缺陷阻挡层、所述InN牺牲层、所述InSiN缺陷阻挡层及所述二维GaN层的生长气氛为N2与NH3的混合气体，且N2与NH3的混合体积比例为1:1～1:10。
5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述CrAlN缺陷阻挡层、所述InN牺牲层、所述InSiN缺陷阻挡层及所述二维GaN层的生长压力为50torr～500torr。
6.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述CrAlN缺陷阻挡层、所述InN牺牲层、所述InSiN缺陷阻挡层及所述二维GaN层的生长温度为800℃～1100℃。
7.一种外延片，其特征在于，所述外延片由权利要求1～6中任一项所述的发光二极管外延片制备方法制备得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310813855.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
