[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，解决了现有技术中阵列基板的制备成本较高的问题。其中，阵列基板包括衬底；沟道层，叠置在衬底的一侧表面；以及氧化物膜层，位于衬底和沟道层之间，氧化物膜层的光透过率小于沟道层。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

相关技术中，为了避免环境光对阵列基板中的金属氧化物薄膜晶体管造成不良影响，通常会在金属氧化物薄膜晶体管的靠近衬底的一侧增设遮光层，导致阵列基板的制备成本增加。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现有技术中阵列基板的制备成本较高的问题。

本申请第一方面提供了一种阵列基板，包括：衬底；沟道层，叠置在衬底的一侧表面；以及氧化物膜层，位于衬底和沟道层之间，氧化物膜层的光透过率小于沟道层。好处是，利用氧化物膜层113作为遮光层，氧化物膜层113和沟道层112可以通过一次黄光工艺同步进行图形化，从而降低工艺成本。

结合第一方面，在一些可能的实现方式中，阵列基板还包括第一保护层，位于氧化物膜层和沟道层之间，第一保护层的迁移率小于沟道层；优选地，第一保护层的材料为金属氧化物。好处是，沟道层和氧化物膜层的材料不同，第一保护层可以阻隔沟道层和氧化物膜层，防止氧化物膜层对沟道层造成不良影响。与此同时，第一保护层还可以阻挡来自于衬底方向的水气和氧气，防止水气和氧气进入沟道层，对沟道层造成影响。

结合第一方面，在一些可能的实现方式中，沟道层包括第一离子掺杂区和第二离子掺杂区；阵列基板还包括依次叠置在沟道层的远离衬底一侧的第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和金属层，金属层包括源极和漏极，源极连接第一离子掺杂区，漏极连接第二离子掺杂区。

结合第一方面，在一些可能的实现方式中，阵列基板还包括第二保护层，位于沟道层的远离衬底的一侧，第二保护层的迁移率小于沟道层；优选地，第一保护层的材料为金属氧化物。好处是，第二保护层用于在进行离子注入，以形成第三离子掺杂区和第四离子掺杂区的过程中，阻挡注入离子进入沟道层，从而为沟道层提供保护。

结合第一方面，在一些可能的实现方式中，第二保护层包括第三离子掺杂区和第四离子掺杂区；阵列基板还包括依次叠置在沟道层的远离衬底一侧的第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和金属层，金属层包括源极和漏极，源极连接第三离子掺杂区，漏极连接第四离子掺杂区。

结合第一方面，在一些可能的实现方式中，在阵列基板的厚度方向上，氧化物膜层的正投影和沟道层的正投影重合。

结合第一方面，在一些可能的实现方式中，氧化物膜层的材料包括二氧化钼、三氧化钼、二硫化钼、铜铟硒、碲化镉中的任一种。

结合第一方面，在一些可能的实现方式中，氧化物膜层的光透过率大于等于0％并且小于等于40％。好处是，确保氧化物膜层起到良好的遮光效果。

本申请第二方面提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上制备氧化物材料层和第一金属氧化物材料层；采用一次黄工工艺对氧化物材料层和第一金属氧化物材料层同步图形化，分别得到氧化物膜层和沟道层；制备与沟道层接触的源极区和漏极区；在沟道层的远离衬底的一侧依次制备第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层、金属层、平坦化层、阳极层和像素定义层，得到阵列基板。

本申请第三方面提供了一种显示面板，包括上述任一实施例提供的阵列基板。

根据本申请实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板，利用氧化物膜层作为遮光层。这种情况下，氧化物膜层和沟道层可以通过一次黄光工艺同步进行图形化，从而降低工艺成本。

附图说明

图1为相关技术中的阵列基板的局部结构示意图。