[发明专利]全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置

说明书

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置。其中，全彩化显示面板的制备方法包括：提供电路板，电路板的一面键合有阵列排布的蓝光LED芯片；针对不同颜色的子像素，分别进行以下步骤：在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面覆盖对应的色转换保护层；去除部分色转换保护层，以对应蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构。本公开的技术方案，可制备满足LED芯片全彩化需求的色转换层图形化，解决了现有技术中通过量子点光刻工艺，由于量子点光刻胶的光刻精度受限造成制备的色转换层容易越界到相邻子像素的范围中，影响显示面板的显示效果的问题。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。Micro-LED芯片尺寸小、集成度高、自发光和稳定性高等特点，与液晶显示器（LiquidCrystal Display，LCD）和有机发光二极管(Organic Micro Light Emitting Diode，OLED)相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。相关技术中的Micro-LED全彩化技术是在蓝色或紫色的LED显示阵列上方制备图形化的量子点色转换层，将蓝光（或紫光）转换为红绿蓝三色光，从而将单色的Micro-LED显示芯片转换为全彩的Micro-LED显示芯片。

现有技术中的图形量子点色转换层的制备方法主要采用量子点光刻工艺，将量子点与光刻胶按一定比例混合，采用量子点光刻方法进行像素图案化。由于量子点本身是纳米颗粒，为了提高色转换层的光转换效率，会在量子点光刻胶中添加光散射颗粒，由此造成量子点光刻胶对光的散射作用非常强，这限制了量子点光刻胶的光刻精度。目前的量子点光刻胶的光刻最高精度为5微米，而Micro-LED的像素尺寸最小可以做到1微米，从而造成制备的色转换层容易越界到相邻子像素的范围中，影响显示面板的显示效果。因此，现有的量子点光刻工艺制备的色转换层图形化无法满足Micro-LED全彩化的需求。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置，有利于使得制备的色转换层图形化满足LED全彩化的需求，解决了现有技术中通过量子点光刻工艺，由于量子点光刻胶的光刻精度受限造成制备的色转换层容易越界到相邻子像素的范围中，影响显示面板的显示效果的问题。

第一方面，本公开提供了一种全彩化显示面板的制备方法，包括：提供电路板，所述电路板的一面键合有阵列排布的蓝光LED芯片；

针对不同颜色的子像素，进行以下步骤：在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面覆盖对应的色转换保护层；去除部分所述色转换保护层，以对应所述蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构；

其中，所述色转换保护层包括色转换层和保护层，所述色转换层位于所述蓝光LED芯片和所述保护层之间。

在一些实施例中，所述在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面覆盖对应的色转换保护层，包括：

在电路板上键合有阵列排布的蓝光LED芯片的一面涂布对应的色转换层；

在所述色转换层上涂布所述保护层。

在一些实施例中，所述去除部分所述色转换保护层，以对应所述蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构，包括：

去除部分所述保护层，保留对应所述蓝光LED芯片所在位置的保护层；

去除未覆盖保护层的所述色转换层，以对应所述蓝光LED芯片制备对应的色转换保护结构。

在一些实施例中，所述去除部分所述保护层，保留对应LED芯片所在位置的保护层，包括：

在所述色转换保护层上覆盖光刻胶层；