[发明专利]基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置及方法

权利要求书

1.一种基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置，其特征在于，包括：抽气口、反应腔、注液口、排液口和固定吸盘；

所述反应腔的形状为底部开口的圆柱，在开口截面上固定有聚四氟乙烯材质的胶圈；

所述抽气口设置在所述反应腔上部，所述抽气口用于连接真空泵，保证所述反应腔的内部气压稳定；

所述反应腔的侧面设置有所述注液口，通过所述注液口将腐蚀液注入所述反应腔内；

所述反应腔的侧面底部位置设置有所述排液口，通过所述排液口将腐蚀液从所述反应腔中排出；

所述固定吸盘采用聚四氟乙烯材料，其固定在所述反应腔的底部开口处。

2.如权利要求1所述的基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置，其特征在于，所述注液口的水平位置高于所述排液口的水平位置。

3.如权利要求1所述的基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置，其特征在于，所述注液口和所述排液口的外部分别连接有聚四氟乙烯材质的软管。

4.一种基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀方法，其特征在于，利用如权利要求1所述的基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置对键合晶圆进行腐蚀，键合晶圆包括感光晶圆和基底晶圆，包括以下步骤：

S1、在感光晶圆背部pixel区沉积氧化层；

S2、将键合晶圆放置在托盘中，将基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置放置在键合晶圆的待腐蚀区；

S3、打开基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置的抽气口，保证反应腔的内部气压低于外界气压，将圆背部腐蚀装置吸附在待腐蚀区；

S4、在托盘中注入去离子水，去离子水的水位高于键合晶圆的厚度；

S5、通过注液口将腐蚀液注入反应腔；

S6、通过排液口将腐蚀液由反应腔排出；

S7、控制反应腔的内部气压不低于外界气压，取下基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置，去离子水稀释残留的腐蚀液。

5.如权利要求4所述的基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀方法，其特征在于，在S1之前，使用grinding设备将感光晶圆的背部进行减薄。

6.如权利要求4所述的基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀方法，其特征在于，通过光刻工艺及CVD工艺在感光晶圆背部pixel区沉积氧化层。

7.如权利要求4所述的基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀方法，其特征在于，还包括：S8、将键合晶圆进行超声清洗并吹干。