[发明专利]腔体连接结构在审
| 申请号: | 202310474836.4 | 申请日: | 2023-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN116564851A | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
| 发明(设计)人: | 罗伟;冯翔;潘无忌 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F16L15/06;E06B5/00;E06B7/23 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 连接 结构 | ||
1.一种腔体连接结构,其特征在于,所述结构包括:密封连接板、密封门框及密封圈,所述密封连接板固定于腔体与传送平台之间,包括连接板开口、第一密封槽及第二密封槽,其中,所述连接板开口贯穿所述密封连接板的两端面,且与所述腔体的开口及所述传送平台的传送开口相对应,所述第一密封槽与所述第二密封槽分别设于所述密封连接板的两端面;
所述密封门框包括堆叠设置的第一门框部分、第二门框部分、第三门框部分、贯穿三者所形成的门框开口及第三密封槽,其中,所述第一门框部分、所述第二门框部分及所述第三门框部分形成台阶结构,所述第一门框部分固定于所述传送平台上,此时,所述第二门框部分置于所述传送开口内,所述第三门框部分置于所述连接板开口内,所述第三密封槽设于所述第三门框部分的端面;
所述密封圈置于所述第一密封槽、所述第二密封槽及所述第三密封槽内。
2.根据权利要求1所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第一密封槽及所述第二密封槽均呈环形,且所述第一密封槽设于所述密封连接板靠近所述腔体一侧的端面,所述第二密封槽设于所述密封连接板靠近所述传送平台一侧的端面。
3.根据权利要求2所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第一密封槽与所述第二密封槽错位设置,且所述第一密封槽的位置处于所述连接板开口与所述第二密封槽之间。
4.根据权利要求1所述的腔体连接结构,其特征在于,所述密封连接板还包括第一固定孔、第二固定孔、第一固定凹槽及第二固定凹槽,其中,所述第一固定孔设于所述密封连接板两侧的边缘;所述第二固定孔设于所述第一固定孔与所述第一密封槽之间;所述第一固定凹槽设于所述密封连接板靠近所述腔体一侧的端面,并设于所述第二固定孔与所述第一密封槽之间;所述第二固定凹槽设于所述密封连接板靠近所述传送平台一侧的端面,并设于所述第二固定孔与所述第二密封槽之间。
5.根据权利要求4所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第二固定孔为台阶孔。
6.根据权利要求1~5任一项所述的腔体连接结构,其特征在于,所述密封连接板的材质包括不锈钢。
7.根据权利要求1所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第一门框部分的宽度大于所述传送开口的宽度。
8.根据权利要求7所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第一门框部分设有第三固定孔,且所述密封门框通过所述第三固定孔固定于所述传送平台上。
9.根据权利要求8所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第一门框部分的底部端面设有第四密封槽。
10.根据权利要求1所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第二门框部分的高度与所述传送开口的深度相同。
11.根据权利要求10所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第二门框部分的宽度小于所述传送开口的宽度。
12.根据权利要求1所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第三门框部分的高度小于等于所述连接板开口的深度。
13.根据权利要求12所述的腔体连接结构,其特征在于,所述第三门框部分的宽度小于所述连接板开口的宽度。
14.根据权利要求1或8~13任一项所述的腔体连接结构,其特征在于,所述密封门框的材质包括金属铝。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310474836.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





