[发明专利]硅片智能长寿命输送装置在审
| 申请号: | 202310400646.8 | 申请日: | 2023-04-14 |
| 公开(公告)号: | CN116581070A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
| 发明(设计)人: | 董文鹏;刘海林;李强强 | 申请(专利权)人: | 中润新能源(徐州)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18;B08B5/02 |
| 代理公司: | 南京启冠智兴知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32659 | 代理人: | 刘明浩 |
| 地址: | 221000 江苏省徐州市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 智能 寿命 输送 装置 | ||
1.硅片智能长寿命输送装置,包括传送台和机架,所述传送台设置在机架的上端,机架内设置有电机,所述传送台和机架之间设置有传送带,所述传送带分别连接传送台和电机,其特征在于,所述输送装置还包括:
连接圈,所述传送带套接在连接圈上,所述连接圈套接在电机上,所述电机和连接圈之间设置有连接机构,所述连接圈的内壁上设置有与连接机构相匹配的,所述连接机构滑动连接在电机上,所述连接机构能够对连接圈进行锁止,所述连接机构还可以连接连接圈和电机。
2.如权利要求1所述的硅片智能长寿命输送装置,其特征在于,所述电机包括转杆和电机主体,所述电机主体带着转杆转动,所述转杆上开设有多个滑槽,所述连接机构滑动连接在滑槽内。
3.如权利要求2所述的硅片智能长寿命输送装置,其特征在于,连接机构包括电磁块、连接杆和第一无线模块,所述连接杆位于电磁块和第一无线模块之间,所述第一无线模块和电磁块之间设置有第一电源线,所述机架内设置有与第一无线模块相匹配的第二无线模块。
4.如权利要求3所述的硅片智能长寿命输送装置,其特征在于,所述第一电源线上设置有电流转换器,所述滑槽的底壁上设置有与连接机构相匹配的磁吸块。
5.如权利要求3或4所述的硅片智能长寿命输送装置,其特征在于,所述机架内设置有与第二无线模块相匹配的电池,所述电池与电机之间设置有第二电源线。
6.如权利要求所述的硅片智能长寿命输送装置,其特征在于,所述机架上安装有与传送带相匹配的皮带调节机构。
7.如权利要求6所述的硅片智能长寿命输送装置,其特征在于,所述皮带调节机构包括套筒、第一活塞杆和第二活塞杆,所述第一活塞杆滑动连接在套筒内,所述第一活塞杆和第二活塞杆之间设置有压力检测设备,所述第二活塞杆远离压力检测设备的一端转动连接有转动辊。
8.如权利要求1或7所述的硅片智能长寿命输送装置,其特征在于,所述机架靠近皮带调节机构的一侧还设置有皮带清洁机构,所述皮带清洁机构包括气泵和橡胶圈,所述气泵和橡胶圈之间设置有第一连接管。
9.如权利要求8所述的硅片智能长寿命输送装置,其特征在于,所述第一连接管上设置有多个分支管。
10.如权利要求9所述的硅片智能长寿命输送装置,其特征在于,所述气泵和皮带调节机构之间设置有第二连接管,所述套筒上开设有与第二连接管相匹配的进气管道,靠近所述进气管道的一侧设置有电磁阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





