[发明专利]一种高压微型发光器件的制备方法

说明书

本发明提供了一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接；其中，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以串联相邻两个LED单元的设置；实现了第一钝化层前置蚀刻开孔裸露所述台面，从而，可精准控制透明导电层的有效面积，确保高压微型发光器件的每个LED单元的发光面积一致；此外，所述第一钝化层可同时并作为电流阻挡层实现均匀电流分布，防止LED单元的电流聚集。同时，通过在所述沟道内形成玻璃化绝缘层，以减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，且由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种高压微型发光器件的制备方法。

背景技术

随着LED芯片制造业的兴起以及科研领域的发展，要求新一代的芯片具有高性能、低成本且更注重器件的稳定性，因而高压倒装LED芯片应运而生，高压倒装LED可以将功率型芯片实现多单元互联互通，有效地降低驱动电流，同时芯片可以直接高压驱动，可以节省驱动成本，提高光源整体寿命；由于芯片采用倒装结构，合理的电极设计可以提高出光反射效率，减少电流从聚效应，而且实现无线焊接，散热效果好，有利于减少成本，降低光衰。

然而，现有技术中，倒装高压芯片在蒸镀桥接电极以实现相邻两个LED单元的互连时，由于台面侧壁倾斜角较大时，蒸镀难度大、蒸镀厚度不足，使桥接电极容易产生裂缝，如此导致高压LED芯片的各子LED单元之间互连电阻大，使得高压LED芯片失效；甚至会出现桥接电极直接断开使高压LED芯片无法发光的问题。

同时，现有技术中，通常采用SiO₂作为钝化层，然而SiO₂作为钝化层，其水汽隔绝能力一般，在高湿环境下长期老化易失效，导致微电流应用下的漏电参数VF4下降。

此外，在小尺寸LED芯片应用下，通过光刻胶掩膜蚀刻透明导电层时，由于存在光刻衍射导致透明导电层蚀刻线宽不易控制，最终影响透明导电层有效发光面积。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种高压微型发光器件的制备方法，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高压微型发光器件的制备方法，以解决高压微型发光器件中桥接电极可靠性差以及透明导电层蚀刻控制精准度差的问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接，所述制备方法包括如下步骤：

S01、提供一外延结构，所述外延结构包括衬底及设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层至少包括在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区和第二型半导体层；

S02、通过蚀刻所述外延叠层，使部分所述第一型半导体层裸露，从而形成若干个凹槽及台面，所述凹槽与台面相对设置；

S03、通过深蚀刻所述外延叠层至裸露所述衬底表面，形成通过沟道相互间隔排布的若干个LED单元；

S04、制作第一钝化层，所述第一钝化层覆盖各所述LED单元，且分别裸露各所述LED单元所对应的凹槽、台面的至少部分表面；

S05、在各所述台面裸露部沉积透明导电层；

S06、在所述沟道内形成玻璃化绝缘层；

S07、制作桥接电极，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以连接相邻两个LED单元；