[发明专利]长脉冲高压调制器的顶降补偿电路、方法及高压调制器在审

专利信息
申请号: 202310146535.9 申请日: 2023-02-22
公开(公告)号: CN116470891A 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 何秀华;杨景红;杨明;刘志刚;栾镝;柯强 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十四研究所
主分类号: H03K7/08 分类号: H03K7/08
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 熊敏敏;高娇阳
地址: 210039 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 脉冲 高压 调制器 补偿 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种长脉冲高压调制器的顶降补偿电路,其特征在于,包括高压电源、N个充电隔离单元、N个Bouncer储能控制组件、定时控制器、主调制定时驱动、Bouncer定时驱动以及负载;

所述高压电源分别与N个充电隔离单元连接,N个充电隔离单元分别与N个Bouncer储能控制组件对应连接;N个Bouncer储能控制组件输出顺次串联连接,用于给负载提供合乎脉冲顶降要求的高压长脉冲;所述定时控制器分别与所述主调制定时驱动、Bouncer定时驱动连接;所述主调制定时驱动分别与N个Bouncer储能控制组件连接;Bouncer定时驱动分别与N个Bouncer储能控制组件连接;所述负载两端分别与第一个Bouncer储能控制组件输出高压端、第N个Bouncer储能控制组件输出低压端连接;

单个所述Bouncer储能控制组件包括主储能电容、主调制开关、Bouncer电容、Bouncer电感、Bouncer调制开关、Bouncer开关二极管以及旁路二极管;所述主储能电容的一端与主调制开关的一端相连,主调制开关另一端与旁路二极管的正端相连,主储能电容另一端与Bouncer电容的一端及Bouncer调制开关的一端相连,Bouncer调制开关另一端与Bouncer电感的一端相连,Bouncer电感另一端与Bouncer电容另一端以及旁路二极管负端相连,Bouncer开关二极管并接于Bouncer调制开关两端,Bouncer开关二极管负端与Bouncer电容一端相连,正端与Bouncer电感一端相连;

所述高压电源经N个充电隔离单元后输出为N路直流高压,分别为N个Bouncer储能控制组件中的主储能电容和Bouncer电容充电;

所述充电隔离单元在高压电源为主储能电容和Bouncer电容分别充电时提供通路,在主调制开关和Bouncer调制开关分别导通时隔离放电回路对高压电源的影响;

所述定时控制器产生主调制定时驱动信号和Bouncer定时驱动信号,并对主调制定时驱动信号和Bouncer定时驱动信号进行延时控制,补偿主储能电容上的电压降落;

所述主调制定时驱动,将主调制定时驱动信号分为N路,分别为N个Bouncer储能控制组件中的主调制开关提供同步驱动信号;

所述Bouncer定时驱动,将Bouncer定时驱动信号分为N路,分别为N个Bouncer储能控制组件中的Bouncer调制开关提供同步驱动信号。

2.根据权利要求1所述的长脉冲高压调制器的顶降补偿电路,其特征在于,所述主调制开关、Bouncer调制开关均为全固态开关。

3.根据权利要求2所述的长脉冲高压调制器的顶降补偿电路,其特征在于,选取MOS管或IGBT串并联开关组件作为主调制开关,选取MOS管或IGBT串并联开关组件或者单个高压IGBT作为Bouncer调制开关。

4.根据权利要求3所述的长脉冲高压调制器的顶降补偿电路,其特征在于,所述主调制定时驱动和Bouncer定时驱动采用高频调制驱动方式,所述高频调制驱动由高频调制驱动电路实现。

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