[发明专利]阵列基板及显示面板在审
| 申请号: | 202310101011.8 | 申请日: | 2023-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN116033798A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
| 发明(设计)人: | 孙洋;任腾;肖志慧;王石;王金钊 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H10K59/126 | 分类号: | H10K59/126 |
| 代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 230001 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本申请提供一种阵列基板及显示面板,该阵列基板包括:衬底、遮光部、晶体管和导电走线;晶体管包括沟道部;遮光部在衬底上的正投影与沟道部在衬底上的正投影至少部分重叠;导电走线与所述遮光部电性连接;遮光部包括软磁材料。本申请公开的阵列基板及显示面板通过设置与导电走线电性连接的遮光部,覆盖薄膜晶体管的至少部分沟道部,有效减少沟道区域的漏电流的发生,提高薄膜晶体管的栅极的关态电流的稳定性,减少屏体的像素显示出现残影等异常现象的发生。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及阵列基板及显示面板。
背景技术
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)因具有高电子迁移率,可以有效减小薄膜晶体管的器件面积,增加屏体的像素显示密度,提升像素的开口率,在显示领域占据重要位置。
低温多晶硅薄膜晶体管的沟道区域在受到光线照射的情况下,易产生光漏流的现象,使得薄膜晶体管的栅极的关态电流发生变化,从而导致屏体的像素显示出现残影等异常现象。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是薄膜晶体管的沟道区域在受到光线照射的情况下,易产生光漏流的现象。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:一种阵列基板,包括:
衬底;
遮光部,设于衬底上;
晶体管,设于遮光部远离衬底的一侧;晶体管包括沟道部;遮光部在衬底上的正投影与沟道部在衬底上的正投影至少部分重叠;
导电走线,设于衬底上,且与遮光部电性连接;
其中,遮光部包括软磁材料。
优选地,遮光部包括靠近衬底设置的第一遮光层和设于第一遮光层靠近晶体管一侧的第二遮光层;第一遮光层为软磁材料层,第二遮光层为无机层。
更优选地,第一遮光层的厚度为第二遮光层的厚度为
更优选地,软磁材料层的材料包括非晶态软磁合金或超微晶软磁合金;无机层包括非晶硅材料。
更优选地,遮光部与有源部之间设置有绝缘层;
可选地,绝缘层的材料与第二遮光层的材料相同。
优选地,导电走线为驱动电力线,且设于遮光部远离衬底的一侧。
更优选地,遮光部在衬底上的投影覆盖整个有源部在衬底上的投影,且遮光部沿第一方向超出有源部的部分与驱动电力线电性连接。
更优选地,晶体管为顶栅结构;阵列基板还包括存储电容,存储电容包括相对设置的第一电容电极和第二电容电极;晶体管的栅极复用为第一电容电极,第二电容电极设于第一电容电极远离衬底的一侧。
更优选地,阵列基板还包括金属连接部,金属连接部与第二电容电极同层设置,且金属连接部邻近晶体管的源极部所在侧设置;金属连接部在衬底上的投影与遮光部在衬底上的投影至少部分重叠;遮光部与金属连接部通过第一过孔电性连接,金属连接部与驱动电力线通过第二过孔电性连接。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一种技术方案是:一种显示面板,包括上述任一的阵列基板。
有益效果:
(1)本申请具体实施例提供的阵列基板,通过设置与导电走线电性连接的遮光部,覆盖薄膜晶体管的至少部分沟道部,有效减少沟道区域的漏电流的发生,提高薄膜晶体管的栅极的关态电流的稳定性,减少屏体的像素显示出现残影等异常现象的发生。
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