[实用新型]一种倒焊红外探测器芯片

权利要求书

1.一种倒焊红外探测器芯片，其特征在于，包括红外敏感阵列和读出电路；

所述红外敏感阵列依次包括衬底层、外延层、钝化层和电连接层，所述外延层刻蚀形成矩形阵列排布的若干像元，相邻所述像元之间形成隔离沟壑，且相邻四个所述像元之间的所述隔离沟壑形成十字沟壑；

所述钝化层沉积覆盖所有所述像元和所述隔离沟壑，每个所述像元上的所述钝化层均设有一个开窗；

所述电连接层包括若干电连接单元，每个所述像元均对应设置有一个所述电连接单元，所述电连接单元沉积覆盖对应的所述像元上的所述开窗和所述像元相邻的所述隔离沟壑，且每个所述十字沟壑中均沉积有一个所述电连接单元，所述电连接层通过所述开窗与所述像元电连接；

所述读出电路设有若干铟柱，每个所述电连接单元均对应有一个所述铟柱，所述铟柱设于所述隔离沟壑，且每个所述十字沟壑中均设有一个所述铟柱；所述铟柱与所述电连接单元通过压焊连接，以使所述读出电路与所述红外敏感阵列固连，且所述像元通过所述铟柱与所述读出电路电连接。

2.根据权利要求1所述的倒焊红外探测器芯片，其特征在于，所述铟柱的截面尺寸向远离所述读出电路方向逐渐减小，且所述铟柱的最小截面尺寸小于所述隔离沟壑的宽度、最大截面尺寸大于所述隔离沟壑的宽度。

3.根据权利要求1所述的倒焊红外探测器芯片，其特征在于，所述开窗位于所述像元的其中一个角落上，所述电连接单元沉积覆盖对应的所述像元上设有所述开窗的角落，并延伸覆盖相邻所述像元上的所述钝化层。

4.根据权利要求3所述的倒焊红外探测器芯片，其特征在于，所述像元和所述电连接单元均为正方形，所述十字沟壑中的所述电连接单元覆盖相邻四个所述像元的四个角落。

5.根据权利要求1所述的倒焊红外探测器芯片，其特征在于，所述电连接单元覆盖所述像元角落处的侧壁。

6.根据权利要求1所述的倒焊红外探测器芯片，其特征在于，所述钝化层沉积覆盖所述像元的所有面。

7.根据权利要求1所述的倒焊红外探测器芯片，其特征在于，所述衬底层的材料为锑化镓。

8.根据权利要求1所述的倒焊红外探测器芯片，其特征在于，所述外延层的材料为二类超晶格。

9.根据权利要求1所述的倒焊红外探测器芯片，其特征在于，所述铟柱和所述读出电路之间设有支撑金属。

10.根据权利要求1所述的倒焊红外探测器芯片，其特征在于，所述电连接层的材料为多层金属。