[实用新型]一种多级电子阻挡薄膜以及钙钛矿太阳能电池

权利要求书

1.一种多级电子阻挡薄膜，其特征在于，所述多级电子阻挡薄膜具有A1-B-A2结构，其中，A1为漏电阻挡层，B为电子阻挡主体层，A2为界面钝化层，电子阻挡主体层B由NiO、V₂O₅、CuO、CuSCN、CuI中任意一种材料制备，漏电阻挡层A1和界面钝化层A2分别由无机氧化物、无机氮化物、无机碳化物、无机硅化物、无机硫化物、碳材料中任意一种材料制备。

2.如权利要求1所述的多级电子阻挡薄膜，其特征在于，所述无机氧化物分别为以下材料中的任一种：氧化锑、三氧化二铝、氧化钴、三氧化二硼、氧化铋、三氧化铬、氧化铜、氧化镁、三氧化钼、二氧化硅、氧化钒、氧化锆，无机氮化物分别为以下材料中的任一种：碳氮化铝、氮化铝、氮化硼、氮化钙、氮化铬、氮化铕、氮化镁、氮化硅、氮化钛、氮化钒、氮化锆、氮化镓，无机碳化物分别为以下材料中的任一种：碳化铝、碳化硼、碳化铬、碳化钼、碳化硅、碳化钛、碳化钒、碳化钨、碳化锆，无机硅化物分别为以下材料中的任一种：硅化钴、硅化镁、硅化钼、硅化铌、硅化钛、硅化钨、硅化锆，无机硫化物分别为以下材料中的任一种：硫化铝、硫化锑、硫化铋、硫化钡、硫化硼、硫化钙、硫化铬、硫化钴、硫化铕、硫化镓、硫化镁、硫化钼、二硫化硅、硫化钨、硫化钒、硫化锆，碳材料分别为石墨烯及其衍生物、石墨炔及其衍生物、碳纳米管中的任意一种。

3.如权利要求1所述的多级电子阻挡薄膜，其特征在于，在所述漏电阻挡层A1的制备材料中还掺杂有下转换纳米发光材料，或者，在所述漏电阻挡层A1表面还包覆有下转换纳米发光材料，下转换纳米发光材料为钙钛矿类量子点、石墨烯量子点、稀土类、无机硫化物类下转换纳米发光材料中至少一种。

4.如权利要求1所述的多级电子阻挡薄膜，其特征在于，所述漏电阻挡层A1的膜厚为1nm~80nm，界面钝化层A2的膜厚为0.1nm~20nm。

5.一种钙钛矿太阳能电池，其内部结构包括自上而下设置的基底、透明导电电极、钙钛矿吸光层、电子传输层、金属电极，其特征在于，在透明导电电极与钙钛矿吸光层之间设置了如权利要求1~4中任意一项所述的多级电子阻挡薄膜，其中，所述多级电子阻挡薄膜的漏电阻挡层A1位于透明导电电极侧与透明导电电极接触，界面钝化层A2则位于钙钛矿吸光层侧与钙钛矿吸光层接触。

6.如权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层的制备材料的分子式为ADX₃，其中，A为铯、铷、胺基、脒基、碱族中至少一种一阶阳离子，D为铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋和钋中至少一种二价金属阳离子，X为碘、溴、氯、砹、硫氰根、醋酸根中至少一种一阶阴离子。