[实用新型]晶锭校正装置

说明书

本实用新型公开一种晶锭校正装置，适于在切割操作前对一晶锭进行垂直校正，所述晶锭校正装置包括一校正治具以及一载体。所述校正治具包括一底部以及一连接于所述底部的壁部，其中所述底部具有一水平基准面，所述壁部具有一垂直基准面，且所述水平基准面与所述垂直基准面相互垂直。所述载体设置为将所述晶锭固定于所述水平基准面上，并抵靠住所述垂直基准面以进行垂直校正。因此，能有效减少晶锭在切割操作前的垂直校正的时间。

技术领域

本实用新型涉及一种校正装置，特别是涉及一种具有垂直校正功能的晶锭校正装置。

背景技术

碳化硅(silicon carbide,SiC)具有宽能隙、高导热率、高临界击穿电场、高电子饱和迁移率、高化学稳定性等特点，在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面有很大的应用潜力，是现今最受瞩目的素材之一。

切割是SiC单晶由晶锭变成晶片(晶圆)的一个重要工序，主要是以钻石线锯(wiresaw)对晶锭进行切片，这一工序将直接影响到切片的质量；一旦切片的质量不佳，例如切片损伤、厚度不均等，便需要花费更多的时间在后续的修整加工(如切片后研磨)上。而且目前国际市场上SiC晶片的价格非常昂贵，因此在切割过程中提高切割效率、减少损失、提高材料利用率是非常重要的。

因此，如何在不变更既有切割装置的情况下，达到切割工序的平行度、垂直度等要求，以提高切片的质量，实为当前所要解决的课题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种晶锭校正装置，适于在切割操作前对晶锭进行垂直校正，而不需要进行测量等操作，使校正方便快捷、校正精度高且针对性更强。

为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的其中一技术方案是提供一种晶锭校正装置，适于在切割操作前对一晶锭进行垂直校正，所述晶锭校正装置包括一校正治具以及一载体。所述校正治具包括一底部以及一连接于所述底部的壁部，其中所述底部具有一水平基准面，所述壁部具有一垂直基准面，且所述水平基准面与所述垂直基准面相互垂直。所述载体设置为将所述晶锭固定于所述水平基准面上，并抵靠住所述垂直基准面以进行垂直校正。

在本实用新型的一实施例中，所述载体具有一承载面，且所述承载面上设置有一暂时性黏胶层，用以固定住所述晶锭。

在本实用新型的一实施例中，所述校正治具的所述壁部具有一缺口，所述缺口的位置紧邻于所述底部且对应于所述载体。

在本实用新型的一实施例中，所述晶锭校正装置还包括一基座，且所述校正治具设置于所述基座上。

在本实用新型的一实施例中，所述基座为一支撑平台。

在本实用新型的一实施例中，所述校正治具的所述壁部于所述基座上分隔出各自独立的一第一区域与一第二区域，所述校正治具的所述底部位于所述第一区域，所述载体设置为起始于所述第一区域且通过所述缺口延伸至所述第二区域。

在本实用新型的一实施例中，所述基座还包括一设置于所述第二区域的限位部，用以限制所述载体于所述校正治具上的水平位移。

在本实用新型的一实施例中，所述校正治具的所述壁部的高度至少为所述晶锭的高度的一半。

本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的晶锭校正装置，其能通过“利用载体将晶锭固定于校正治具的底部的水平基准面上，并抵靠住校正治具的壁部的垂直基准面以进行垂直校正”的技术特征，以减少晶锭在切割操作前的垂直校正的时间，且因为不需要进行测量等操作，校正精度不会受到环境因素的影响。

更进一步来说，本实用新型所提供的晶锭校正装置有助于提高切片质量，既能减少后续整平加工的时间，又能减少晶锭损耗，降低了生产成本。