[实用新型]一种双槽式蚀刻治具及配套卡尺有效

专利信息
申请号: 202221187632.X 申请日: 2022-05-18
公开(公告)号: CN217588861U 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 赵岩 申请(专利权)人: 惠晶显示科技(苏州)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 湖北融创智行知识产权代理事务所(普通合伙) 42308 代理人: 张旭超
地址: 215613 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 双槽式 蚀刻 配套 卡尺
【说明书】:

实用新型公开了一种双槽式蚀刻治具及配套卡尺,包括治具主体=,其特征在于,所述治具主体的一侧等距设有三个U型槽一,所述治具主体的另一侧与三个所述U型槽一分别对应设置有三个U型槽二,所述治具主体的一侧固定安装有定位组件,通过所述治具主体和所述定位组件设置有配套卡尺,所述定位组件包括底座,所述底座的两端设有安装通孔,并通过安装通孔固定安装于所述治具主体的一侧,所述底座的上端中心设有限位块,所述底座的上端设有两个阻挡块。本实用新型是一种双槽式蚀刻治具及配套卡尺,根据曲轴斜孔角度,通过治具主体双槽式卡槽可在不增加额外治具的情况下实现更换卡尺的位置,且定位组件限位功能实现保证了卡尺的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及蚀刻治具技术领域,特别涉及一种双槽式蚀刻治具及配套卡尺。

背景技术

目前,蚀刻工艺分为两种,一种是湿法蚀刻,一种是干法蚀刻。湿法蚀刻是最早用于微机械结构制造的加工方法,传统的湿法蚀刻是将待蚀刻的半导体晶片置于蚀刻液中,蚀刻液可以对半导体晶片表面需要蚀刻的地方进行湿法蚀刻,相比较于干法蚀刻,湿法蚀刻具有腐蚀速率快、各向异性差、成本低、腐蚀厚度可以达到整个半导体晶片的厚度、机械灵敏度高等优点,广泛应用于显示器玻璃的制备。

在实际生产中,因老式卡尺在使用过程中,容易引发卡尺位置产生干扰纹,增加卡槽后可以实现卡尺位置的更换,但便利性及稳定性较差,且容易出现卡尺脱出,导致产品损坏,故而提出一种双槽式蚀刻治具及配套卡尺以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种双槽式蚀刻治具及配套卡尺。

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:

本实用新型一种双槽式蚀刻治具及配套卡尺,包括治具主体,其特征在于,所述治具主体的一侧等距设有三个U型槽一,所述治具主体的另一侧与三个所述U型槽一分别对应设置有三个U型槽二,所述治具主体的一侧固定安装有定位组件,通过所述治具主体和所述定位组件设置有配套卡尺。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述定位组件包括底座,所述底座的两端设有安装通孔,并通过安装通孔固定安装于所述治具主体的一侧,所述底座的上端中心设有限位块,所述底座的上端设有两个阻挡块,两个所述阻挡块关于所述限位块对称。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述底座与限位块和阻挡块连接处设有若干U型槽三。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述限位块为弹性结构,且所述限位块的顶端两侧均设有凸起。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述配套卡尺包括卡尺主体,所述卡尺主体的下端设有定位开口,所述卡尺主体的上端设有限位通孔。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述限位通孔呈矩形,且与所述凸起相适配。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

该实用新型提供一种双槽式蚀刻治具及配套卡尺,通过治具主体双槽式卡槽可在不增加额外治具的情况下实现更换卡尺的位置,可起到减轻干扰纹的作用,且定位组件设置的凸起和配套卡尺的限位通孔,可实现保证了卡尺的稳定性,大大保证了产品质量。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:

图1是本实用新型的立体结构示意图;

图2是本实用新型蚀刻治具的立体结构示意图;

图3是本实用新型配套卡尺的立体结构示意图;

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