[实用新型]外延沉积设备

说明书

本申请涉及一种外延沉积设备，本申请提供的外延沉积设备包括上下料台、操作台、机械臂组件和多个外延生长装置，上下料台以及多个外延生长装置间隔分布于操作台的外周，机械臂组件一端可活动地连接操作台，另一端用于夹取硅片，机械臂组件能够在上下料台和操作台之间转运硅片。本申请提供的外延沉积设备解决了现有的外延沉积设备的硅片转运效率偏低的问题。

技术领域

本申请涉及半导体外延生长技术领域，尤其涉及一种外延沉积设备。

背景技术

外延生长是半导体产业链条之中的重要一环，外延薄膜的质量直接制约着后续器件的性能，随着工业上对高质量半导体器件的需求越来越大，高效率高质量的外延沉积设备得到了越来越多的关注。现有的外延沉积设备的硅片转运效率偏低，不利于硅片的大规模加工制造。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种外延沉积设备，解决现有的外延沉积设备的硅片转运效率偏低的问题。

本申请提供的外延沉积设备包括上下料台、操作台、机械臂组件和多个外延生长装置，上下料台以及多个外延生长装置间隔分布于操作台的外周，机械臂组件一端可活动地连接操作台，另一端用于夹取硅片，机械臂组件能够在上下料台和操作台之间转运硅片。

在其中一个实施例中，外延生长装置包括炉体，炉体设有反应腔，反应腔内分别设有水平设置的第一反应基座和第二反应基座，第一反应基座和第二反应基座沿着水平方向间隔设置；炉体还设有分别连通反应腔的第一进气部、第二进气部和出气部，第一反应基座设于第一进气部和出气部之间，第二反应基座设于第二进气部和出气部之间；反应介质能够分别通过第一进气部和第二进气部进入反应腔，并通过出气部离开反应腔。

在其中一个实施例中，操作台包括第一操作区和第二操作区，多个外延生长装置、第二操作区和上下料台分别设于第一操作区的不同侧，且多个外延生长装置设于第二操作区的不同侧。机械臂组件包括第一转运臂和第二转运臂，第一转运臂设于第一操作区，第二转运臂设于第二操作区。第一操作区和第二操作区之间设有中转台，第二转运臂能够在设于第二操作区外周侧的外延生长装置和中转台之间转运硅片，第一转运臂能够在设于第一操作区外周侧的外延生长装置、中转台和上下料台之间转运硅片。

在其中一个实施例中，第一操作区和第二操作区均为方形区域，第二操作区和上下料台分别设于第一操作区相对的两侧，第一操作区未设置有第二操作区和上下料台的两侧设有一对相对设置的外延生长装置，第二操作区未设置有第一操作区的三个侧面分别设有一个外延生长装置。

在其中一个实施例中，第一操作区和第二操作区之间设有分隔组件，分隔组件能够将第一操作区所在的操作空间和第二操作区所在的操作空间分隔成两个密闭空间。

在其中一个实施例中，操作台呈多边形状，上下料台以及多个外延生长装置分布于操作台的不同侧边区域，机械臂组件能够在外延生长装置和上下料台之间转运硅片。

在其中一个实施例中，机械臂组件包括依次连接的转动部、第一驱动段、第二驱动段和叉取部，第一驱动段一端固定连接转动部，另一端活动连接第二驱动段，第二驱动段远离第一驱动段的一端活动连接叉取部，叉取部能够同步叉取分别设于第一反应基座和第二反应基座的两个硅片。

在其中一个实施例中，叉取部包括第一叉头、第二叉头以及连接第一叉头和第二叉头的连接杆，第一叉头和第二叉头能够同步叉取分别设于第一反应基座和第二反应基座的两个硅片。

在其中一个实施例中，第一叉头包括沿着竖直方向排列的第一分叉头和第二分叉头，第一分叉头和第二分叉头能够分别独立移动，第二叉头包括沿着竖直方向排列的第三分叉头和第四分叉头，第三分叉头和第四分叉头也能够分别独立移动。

在其中一个实施例中，上下料台和操作台之间设有装载室和卸载室，机械臂组件能够在装载室和外延生长装置之间转运硅片，或者，机械臂组件能够在卸载室和外延生长装置之间转运硅片。