[实用新型]晶圆载具

说明书

本实用新型公开了一种晶圆载具，包括：片架和多个托盘；片架上设置有多层安装槽，各安装槽用于托盘。托盘用于放置晶圆并对晶圆进行背面整体支撑，使晶圆的背面受力均匀，用以防止晶圆产生翘曲。托盘上设置有镂空结构，多层托盘的镂空结构用于在片架内形成空气流通通道，以保证片架内温度均匀。本实用新型能避免通过对晶圆的边缘进行支撑来载片，能使晶圆背面均匀受力，防止晶圆产生翘曲，适用于对减薄晶圆进行载片。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体集成电路晶圆(wafer)测试装置，特别是涉及一种晶圆载具。

背景技术

在半导体集成电路制造中，往往需要对晶圆进行减薄。一种比较常用的减薄工艺为太鼓(Taiko)减薄，太鼓减薄仅将晶圆的中间部分减薄，在晶圆的边沿则会形成未减薄的半导体衬底组成支撑环。在背面工艺过程中，通过支撑环来实现晶圆的移动放置等操作。背面工艺完成后，需要进行切环工艺将TAIKO工艺晶圆的支撑环去除，这时，晶圆仅具有中间减薄部分，容易发生翘曲。现有晶圆片架都是通过晶圆边缘来承载晶圆，晶圆支撑环去除后，则将无法承载晶圆。

以6英寸的TAIKO工艺晶圆为例，晶圆在切环以后，晶圆直径由150mm变为140mm，晶圆厚度也由常规的200μm变成80μm，晶圆翘曲非常大，现有常规晶圆片架无法承载。

在功率器件如IGBT器件的背面工艺中，为了实现达到预期源漏导通电压(VDSON)参数，会将晶圆减薄至80微米左右，在晶圆减薄以后还要完成注入，退火及背面金属化等工艺，80微米的厚度会使晶圆变的非常翘曲。为达到减薄后能继续加工，通常采用TAIKO工艺减薄，即边缘会形成一圈宽度约为5mm以及厚度为200μm的支撑环用于支撑，支撑环的内部中间区域则研磨至80μm，方便后续加工。

对于芯片设计公司来说通常晶圆制造由外协完成，也即会委托晶圆代工厂来制作，最后芯片测试则由芯片设计公司内部来做，芯片测试包括晶圆测试(CP)，此时，支撑环已经被去除，这样就需要一种用于可承载切环以后用于承载晶圆的载具。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种晶圆载具，能避免通过对晶圆的边缘进行支撑来载片，能使晶圆背面均匀受力，防止晶圆产生翘曲，适用于对减薄晶圆进行载片。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的晶圆载具，包括：片架和多个托盘；

所述片架上设置有多层安装槽，各所述安装槽用于所述托盘。

所述托盘用于放置晶圆并对所述晶圆进行背面整体支撑，使所述晶圆的背面受力均匀，用以防止所述晶圆产生翘曲。

所述托盘上设置有镂空结构，多层所述托盘的镂空结构用于在所述片架内形成空气流通通道，以保证所述片架内温度均匀。

进一步的改进是，所述晶圆经过减薄，所述晶圆的厚度为100微米以下。

进一步的改进是，所述晶圆经过太鼓减薄且所述太鼓减薄形成的支撑环被去除。

进一步的改进是，晶圆载具的应用环境包括所述晶圆的CP测试、打点墨水以及打点墨水后的烘烤。

进一步的改进是，所述托盘的材料包括6061铝合金。

进一步的改进是，所述托盘的镂空结构为X型掏空切割结构且切割转角都设置为圆角。

进一步的改进是，所述托盘的表面涂布有特氟龙，用以减少所述托盘和所述晶圆背面的摩擦。

进一步的改进是，所述片架包括：左侧板，右侧板，上连接板，下拉杆。

所述左侧板上设置有多层第一凹槽，所述右侧板上设置有多层第二凹槽，各层所述安装槽由同一层的所述第一凹槽和所述第二凹槽组合而成。