[发明专利]一种TaCo二元非晶合金薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种TaCo二元非晶合金薄膜，以原子百分含量计，化学组成包括：

Ta 90.1～91.2％；

Co 8.8～9.9％。

2.根据权利要求1所述的TaCo二元非晶合金薄膜，其特征在于，以原子百分含量计，化学组成包括：

Ta 90.1～90.3％；

Co 9.7～9.9％。

3.根据权利要求1所述的TaCo二元非晶合金薄膜，其特征在于，以原子百分含量计，化学组成包括：

Ta 90.5～91％；

Co 9～9.5％。

4.根据权利要求1所述的TaCo二元非晶合金薄膜，其特征在于，以原子百分含量计，化学组成包括：

Ta 91～91.2％；

Co 8.8～9％。

5.权利要求1～4任意一项所述的TaCo二元非晶合金薄膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)以纯Ta、纯Co为靶材，在真空通入氩气条件下，在衬底表面进行第一磁控溅射，得到具有钽钴二元成分库的薄膜；

(2)对所述具有钽钴二元成分库的薄膜的Ta含量进行筛选，得到具有临界高Ta原子百分含量的薄膜位置，所述临界高Ta原子百分含量为89～91.2％；

(3)以纯Ta、纯Co为靶材，在真空通入氩气条件下，在所述具有临界高Ta原子百分含量的薄膜位置进行第二磁控溅射，得到TaCo二元非晶合金薄膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一磁控溅射时纯Ta靶材的溅射功率为198～203W，纯Co靶材的溅射功率为50～75W；所述第一磁控溅射时衬底保持不动。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，第二磁控溅射时纯Ta靶材的溅射功率为298～303W，纯Co靶材的溅射功率为23～27W；所述第二磁控溅射时衬底旋转。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一磁控溅射、第二磁控溅射的温度独立地为30～50℃，时间独立地为45～60min。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)和步骤(3)中，真空通入氩气条件的压强为1.2～1.7Pa，氩气通入速率为40～85sccm。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括对所述TaCo二元非晶合金薄膜进行退火，所述退火的温度为800～1000℃，保温时间为5～10min；所述退火时的真空度≤10^-4Pa，所述退火为等温退火。