[发明专利]阵列基板和显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括基板和设于基板上的第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括依次层叠于基板上的第一有源层和绝缘层，第一薄膜晶体管还包括氧化物层，氧化层直接层叠于第一有源层上且位于第一有源层和绝缘层之间。本发明通过在低温多晶硅薄膜晶体管的有源层上直接设置氧化物层，利用氧化物层覆盖半导体层的晶界突起，平坦有源层表面上的凹凸，避免因为绝缘层直接覆盖在低温多晶硅薄膜体管的有源层导致二者之间的界面状态异常，从而避免了因该界面状态异常导致的系列问题。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

目前，非晶硅转变成多晶硅的方式主要是通过将激光束照射到非晶硅上，非晶硅熔融后重新凝固成多晶硅，在此过程中可能产生晶体间的碰撞现象，从而导致晶界处产生突起。

当将这种多晶硅作为半导体层应用于现有的薄膜晶体管时，其晶界处的突起将直接与绝缘层接触，导致半导体层和绝缘层之间的界面状态异常。该界面状态异常容易引起系列不良问题，如造成薄膜晶体管的亚阈值特性的劣化，增加从栅电极流入半导体层的漏电流，减小栅绝缘膜的耐压性，降低薄膜晶体管的可靠性等。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板和显示面板，旨在解决现有的低温多晶硅薄膜晶体管中因半导体层的晶界处突起，导致半导体层和绝缘层之间的界面状态异常的技术问题。

为解决上述问题，本发明的实施例提供一种阵列基板，包括基板和设于所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括依次层叠于所述基板上的第一有源层和绝缘层，所述第一薄膜晶体管还包括氧化物层，所述氧化层直接层叠于所述第一有源层上且位于所述第一有源层和绝缘层之间。

根据本发明的实施例提供的阵列基板，所述氧化物层是包含铟，镓，锌，锡与镧系金属中至少一种的氧化物，可以是IGZO或Ln-IZO。

根据本发明的实施例提供的阵列基板，所述第一有源层包括第一源极区和第一漏极区，以及设于所述第一源极区和所述第一漏极区之间的第一沟道区，所述氧化物层至少覆盖所述沟道区。

根据本发明的实施例提供的阵列基板，所述基板的材料是聚酰亚胺，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设于所述基板和所述第一有源层之间，所述遮光层在所述基板上的投影至少覆盖所述第一沟道区在所述基板上的投影。

根据本发明的实施例提供的阵列基板，所述阵列基板还包括设于所述基板上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄5膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括第二源极区和第二漏极区，以及设于所述第二源极区和所述第二漏极区之间的第二沟道区。

根据本发明的实施例提供的阵列基板，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设于所述基板和所述第二有源层之间，所述遮光层在所述基板上的投影至少覆盖所述第二沟道区在所述基板上的投影。

0根据本发明的实施例提供的阵列基板，所述基板的材料是聚酰亚胺，所述遮光层在所述基板上的投影进一步覆盖所述第一沟道区在所述基板上的投影。

根据本发明的实施例提供的阵列基板，所述第一有源层和所述第二有源层设于同一膜层上，所述氧化物层和所述第二有源层通过同一制程获得。

根据本发明的实施例提供的阵列基板，所述阵列基板还包括设于所述基板5上的缓冲层，所述缓冲层设于所述遮光层背向所述基板的一侧，且完全覆盖所述遮光层。

本发明的实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。