[发明专利]一种全偏振光隔离器在审
| 申请号: | 202211665094.5 | 申请日: | 2022-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN115933062A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 齐继伟;胡浩;符显辉;张斯豪;伍泓锦;陈靖;陈宗强;吴强;卢瑶;孙骞;许京军 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
| 主分类号: | G02B6/27 | 分类号: | G02B6/27;G02F1/095 |
| 代理公司: | 四川省方圆智云知识产权代理事务所(普通合伙) 51368 | 代理人: | 严晓玲 |
| 地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 偏振光 隔离器 | ||
1.一种全偏振光隔离器,其特征在于,包括:光纤准直器(11)和沿光纤准直器(11)发出的光路上依次设置的偏振片(12)和复合磁光晶体(13),所述复合磁光晶体(13)的侧面设置有磁铁(14);
其中,所述复合磁光晶体(13)的介电张量ε符合:
ε0表示介电常数,γ代表增益或损耗系数,Δ代表损耗,u代表磁光参数,其中,u=γ。
2.根据权利要求1所述的一种全偏振光隔离器,其特征在于,所述磁铁(14)分布在所述复合磁光晶体(13)的两侧。
3.根据权利要求1所述的一种全偏振光隔离器,其特征在于,所述光纤准直器(11)发出的入射光经偏振片(12)由竖直偏振顺时针旋转45度,记为+45度;然后入射光以+45度的偏振方向通过复合磁光晶体(13),经复合磁光晶体(13)后入射光逆时针旋转90度,演变为复合磁光晶体(13)材料介电张量的本征态-45度。
4.根据权利要求1所述的一种全偏振光隔离器,其特征在于,反向入射的光,偏振入射后,均会演变为磁光材料的本征态-45度,与偏振片+45度正交,达到隔离效果。
5.根据权利要求1所述的一种全偏振光隔离器,其特征在于,所述复合磁光晶体(13)包括:片状磁光材料层(21)、半导体增益介质层(22)和损耗介质层。
6.根据权利要求5所述的一种全偏振光隔离器,其特征在于,所述片状磁光材料层(21)、半导体增益介质层(22)和损耗介质层交叉排列后贴合形成复合磁光晶体(13)。
7.根据权利要求6所述的一种全偏振光隔离器,其特征在于,所述损耗介质层包括:金属条(23)和绝缘介质(24),所述金属条(23)和绝缘介质(24)之间相互结合形成损耗介质层。
8.根据权利要求6所述的一种全偏振光隔离器,其特征在于,所述半导体增益介质层(22)采用砷化镓材质。
9.根据权利要求7所述的一种全偏振光隔离器,其特征在于,所述绝缘介质(24)采用石英材质。
10.根据权利要求7所述的一种全偏振光隔离器,其特征在于,所述金属条(23)采用Au材质。
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