[发明专利]溅射环的清洗装夹工件和清洗装置

说明书

一种溅射环的清洗装夹工件和清洗装置，其中所述溅射环的清洗装夹工件，包括：支撑架，所述支撑架包括两跟竖杆和与所述两根竖杆顶部固定连接的横杆；位于所述两个竖杆之间的第一承重杆和第二承重杆，所述第一承重杆和第二承重杆的两端固定在所述两个竖杆上，且第二承重杆位于第一承重杆上方；固定在所述第一承重杆上的底部夹块；固定在所述第二承重杆上的第一侧部夹块和第二侧部夹块，第一侧部夹块和第二侧部夹块位于所述底部夹块的上方两侧，所述底部夹块、第一侧部夹块和第二侧部夹块用于在装夹溅射环时分别从所述溅射环的底部和两侧夹住所述溅射环。采用本申请的清洗装夹工件装夹待清洗的溅射环，提高了清洗效率和清洗效果。

技术领域

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种溅射环的清洗装夹工件和清洗装置。

背景技术

在集成电路芯片制造过程中，常用磁控溅射靶材沉积镀膜制备互连线、阻挡层、通孔、抗反射层、籽晶层等。利用高能粒子(如Ar+)轰击靶材，溅射出的中性靶材原子或原子团沉积到靶材对面的衬底上，形成薄膜层。当芯片特征尺寸越来越窄，填孔深宽比越来越大，对镀膜的填孔能力要求也越高。靶材溅射出的原子或原子团向多个方向飞出，仅部分垂直沉积到衬底上，这样高深宽比的台阶孔很容易在孔口形成封闭(Overhang)，而在孔内部形成孔洞(Void)。为解决该问题，一种方法是在靶材与衬底间置入材质同靶材的溅射环(Coil)，溅射环上施加射频电源(RF)，形成高密度等离子区将溅射出的中性原子离子化，这样大部分靶材离子在靶材与衬底间施加的电场作用下，以垂直角度填充深孔。相应的技术有金属等离子体(Ionized Metal Plasma，IMP)、自离子化等离子体(Self IonizedPlasma，SIP)、侧壁覆盖增强反溅射(Enhanced Coverage Re-sputtering，EnCoRe)。

溅射环在长期使用后，其表面会吸附和集聚各种颗粒物，为防止这些颗粒物掉落而污染晶圆或腔室，需要维护人员定期将所述溅射环拆下来进行清洗，但是现有的清洗通常是由人工完成，会存在清洗效果差，外表面洁净度差以及清洗效率低的问题。

发明内容

本申请一些实施例提供了一种溅射环的清洗装夹工件，包括：

支撑架，所述支撑架包括两跟竖杆和与所述两根竖杆顶部固定连接的横杆；

位于所述两个竖杆之间的第一承重杆和第二承重杆，所述第一承重杆和第二承重杆的两端固定在所述两个竖杆上，且第二承重杆位于第一承重杆上方；

固定在所述第一承重杆上的底部夹块；

固定在所述第二承重杆上的第一侧部夹块和第二侧部夹块，第一侧部夹块和第二侧部夹块位于所述底部夹块的上方两侧，所述底部夹块、第一侧部夹块和第二侧部夹块用于在装夹溅射环时分别从所述溅射环的底部和两侧夹住所述溅射环。

在一些实施例中，所述底部夹块中具有一个或两个第一卡槽，所述第一卡槽的开口朝向向上。

在一些实施例中，所述第一承重杆包括两根并列的第一子承重杆，所述两根第一子承重杆穿过底部夹块的底部部分将所述底部夹块固定。

在一些实施例中，所述底部夹块具有两个第一卡槽时，所述两个第一卡槽对称的位于所述底部夹块中，且所述两个第一卡槽分别位于所述第一承重杆的两侧。

在一些实施例中，所述第一侧部夹块中具有一个或两个第二卡槽，所述第二侧部夹块中具有一个或两个第三卡槽，所述第二卡槽和第三卡槽的开口相向设置。

在一些实施例中，所述第二承重杆包括两根并列的第二子承重杆，所述两根第二子承重杆穿过所述第一侧部夹块和第二侧部夹块将所述第一侧部夹块和第二侧部夹块固定。