[发明专利]一种表面具有BN涂层的SiC晶须及其熔盐法制备方法有效
| 申请号： | 202211629450.8 | 申请日： | 2022-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN115611642B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王洪磊;乔爽;余金山;周新贵 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/628 | 分类号： | C04B35/628;C04B35/565;C04B35/626 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 具有 bn 涂层 sic 及其 法制 方法 | ||
1.一种表面具有BN涂层的SiC晶须的制备方法，其特征在于，所述BN涂层通过熔盐法在SiC晶须表面形成，所述BN涂层在SiC晶须表面呈鳞片状均布，BN涂层的BN为六方氮化硼结构，BN涂层的厚度在10~50nm范围内；
包括以下步骤：
一、粉体混合：将熔盐、生成BN的反应物、SiC晶须按一定比例球磨混合，得到混合均匀的粉体；
二、烧结处理：将步骤一得到的混合均匀的粉体进行升温烧结处理，使其充分反应后，得到混合熔盐的覆有BN涂层的SiC晶须；
三、抽滤处理：将步骤二得到的所述混合熔盐的覆有BN涂层的SiC晶须进行水洗，将表面附着的熔盐洗掉，得到了表面覆有BN涂层的SiC晶须；
四、烘干处理：将步骤三得到的表面覆有BN涂层的SiC晶须进行烘干后，得到表面具有BN涂层的SiC晶须；
所述步骤一中熔盐为氯化钠和氯化钾，生成BN的反应物为三聚氰胺和硼砂；
所述SiC晶须长度20-40μm、直径50-200nm；
三聚氰胺中氮元素与硼砂中硼元素的摩尔比为（1:1）~（4:1）；
氯化钠与氯化钾的质量比为11：14；
生成BN的反应物与熔盐的质量比为（1:1）~（1:2）；
反应物和熔盐的总质量与SiC晶须的质量比为（5:1）~（10:1）；
所述步骤二中的升温烧结处理操作方法为：在氮气气氛下，按照3-5℃/min的升温速率，将混合均匀的粉体升温至900-1200℃，保温1-4小时，然后在氮气气氛下冷却至室温，所述升温烧结处理采用的设备为真空裂解炉。
2.如权利要求1所述的表面具有BN涂层的SiC晶须的熔盐法制备方法，其特征在于，
所述步骤三中的抽滤处理的操作方法为：将步骤二中得到的产物置于去离子水中混合均匀，然后使用抽滤装置过滤掉液体，重复4-5次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学，未经中国人民解放军国防科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211629450.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
