[发明专利]一种基于LNOI材料的窄波束光学相控阵输出光栅在审

专利信息
申请号: 202211428806.1 申请日: 2022-11-15
公开(公告)号: CN115903109A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 时尧成;郑书航;宋锦涛;袁恺旸 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G02B6/12;G02B6/124;G02B1/02
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 朱月芬
地址: 310000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 lnoi 材料 波束 光学 相控阵 输出 光栅
【权利要求书】:

1.一种基于LNOI材料的窄波束光学相控阵输出光栅,其特征在于:由下至上包括支撑衬底层(1)、绝缘层(2)、LN波导层(3)和上包层(4);

所述LN波导层(3)由输入波导(5)、周期光栅波导(6)组成;当光以TE模式经输入波导(5)输入时,其在周期光栅波导(6)被耦合到自由空间,在远场形成特定角度的窄扫描光束。

2.根据权利要求1所述的一种基于LNOI材料的窄波束光学相控阵输出光栅,其特征在于:

所述支撑衬底层(1)为硅层,厚度为300~800μm;

所述绝缘层(2)为二氧化硅层,厚度为2~3μm,用于防止光泄露至所述支撑衬底层中;

所述LN波导层(3)选用铌酸锂材料,厚度为600nm,波导宽度为1.2μm,o光折射率为2.211,e光折射率为2.138;

所述上包层(4)为二氧化硅层,厚度为2μm。

3.根据权利要求1或2所述一种基于LNOI材料的窄波束光学相控阵输出光栅,其特征在于:采用二次浅刻蚀结构(7),浅刻蚀结构的周期长度为0.9μm,占空比为0.5,能够有效避免远场旁瓣。

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