[发明专利]高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法在审

专利信息
申请号: 202211335784.4 申请日: 2022-10-28
公开(公告)号: CN115688519A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 柯燎亮;崔新雨;沈飞;朱瑞昌;葛一铭 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23;G06F30/39
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 潘俊达
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 高密度 封装 内部 倒装 填充 结构 等效 模型 构建 方法
【权利要求书】:

1.高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于,包括:

步骤S1,选取电子封装器件,获取器件结构参数和材料参数;

步骤S2,建立电子封装器件的预简化有限元模型;

步骤S3,获取模型简化部分等效参数;

步骤S4,确定电子器件最终有限元简化模型。

2.如权利要求1所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S1中,将电子封装器件内部倒装焊间距保持一致。

3.如权利要求2所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S1中,器件结构参数包括结构的长宽高,所述材料参数包括密度、弹性模量、泊松比、热膨胀系数、传热系数和比热容。

4.如权利要求3所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S2中,采用solidworks模型对所述电子封装器件进行建模,模型选定参数为热沉、热界面材料、芯片、倒装焊、填充料和陶瓷基板。

5.如权利要求4所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于,还包括:

建立多个高密度封装模型,向逐渐保留外层倒装焊圈数逐步过渡。

6.如权利要求4所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S3中,采用有限元Abaqus模拟拉伸、剪切实验的方式,获得高密度封装简化部分等效参数。

7.如权利要求4所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S4中,采用AnsysWorkbench对建立的预简化模型施加同样的正弦冲击载荷及约束,提取倒装焊及填充料部分应力仿真结果,若其中一预简化模型应力值与前一模型差距不高于1%时,确定高密度封装最终简化模型。

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