[发明专利]高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法在审
| 申请号: | 202211335784.4 | 申请日: | 2022-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN115688519A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
| 发明(设计)人: | 柯燎亮;崔新雨;沈飞;朱瑞昌;葛一铭 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | G06F30/23 | 分类号: | G06F30/23;G06F30/39 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 潘俊达 |
| 地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高密度 封装 内部 倒装 填充 结构 等效 模型 构建 方法 | ||
1.高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于,包括:
步骤S1,选取电子封装器件,获取器件结构参数和材料参数;
步骤S2,建立电子封装器件的预简化有限元模型;
步骤S3,获取模型简化部分等效参数;
步骤S4,确定电子器件最终有限元简化模型。
2.如权利要求1所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S1中,将电子封装器件内部倒装焊间距保持一致。
3.如权利要求2所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S1中,器件结构参数包括结构的长宽高,所述材料参数包括密度、弹性模量、泊松比、热膨胀系数、传热系数和比热容。
4.如权利要求3所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S2中,采用solidworks模型对所述电子封装器件进行建模,模型选定参数为热沉、热界面材料、芯片、倒装焊、填充料和陶瓷基板。
5.如权利要求4所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于,还包括:
建立多个高密度封装模型,向逐渐保留外层倒装焊圈数逐步过渡。
6.如权利要求4所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S3中,采用有限元Abaqus模拟拉伸、剪切实验的方式,获得高密度封装简化部分等效参数。
7.如权利要求4所述的高密度封装内部倒装焊及填充料结构等效模型构建方法,其特征在于:所述步骤S4中,采用AnsysWorkbench对建立的预简化模型施加同样的正弦冲击载荷及约束,提取倒装焊及填充料部分应力仿真结果,若其中一预简化模型应力值与前一模型差距不高于1%时,确定高密度封装最终简化模型。
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