[发明专利]等离子体监测装置和等离子体处理装置

说明书

本申请公开一种等离子体监测装置和等离子体处理装置。该等离子体监测装置包括：流量控制部分，包括从等离子体发射的发射光通过其被引入或排出的第一端口以及从等离子体发射的发射光通过其被排出或引入并且具有与第一端口的形状不同的形状的第二端口；透明玻璃窗，延伸到流量控制部分并且使发射光穿过；以及光谱装置，通过光纤光连接到透明玻璃窗并且检测发射光的强度。

技术领域

实施例总体上提供等离子体监测装置和包括该等离子体监测装置的等离子体处理装置。

背景技术

一般来说，等离子体是指由离子、电子和自由基等组成的电离气体状态。等离子体可以由非常高的温度、强电场或射频电磁场(RF)产生。

等离子体处理装置可以是用于将等离子体状态的反应材料沉积在基板上或者使用等离子体状态的反应材料清洁、灰化或蚀刻基板的装置。等离子体处理装置可以包括安装在处理室中以安置基板的下电极以及安装在处理室的上部中以面对下电极的上电极。

近来，随着使用等离子体的工艺的难度增大，用于监测等离子体的状态的技术的重要性正在增加，以便精确地控制等离子体处理工艺。因此，对用于监测在等离子体处理工艺中使用的等离子体的状态的技术的研究正在继续。

发明内容

实施例提供用于观察等离子体分布的等离子体监测装置。

实施例提供包括该等离子体监测装置的等离子体处理装置。

根据本公开的实施例的等离子体监测装置可以包括：流量控制部分，包括从等离子体发射的发射光通过其被引入或排出的第一端口以及从等离子体发射的发射光通过其被排出或引入并且具有与第一端口的形状不同的形状的第二端口；透明玻璃窗，延伸到流量控制部分并且使发射光穿过；以及光谱装置，通过光纤光连接到透明玻璃窗并且检测发射光的强度。

在实施例中，第一端口可以包括具有第一内径的第一管结构以及延伸到第一管结构并具有不同于第一内径的第二内径的第二管结构。第二端口可以包括具有第三内径的第三管结构以及延伸到第三管结构并具有不同于第三内径的第四内径的第四管结构。

在实施例中，第二内径可以大于第一内径，并且第四内径可以大于第三内径。

在实施例中，第一端口可以是发射光通过其被引入的输入端口，并且第二端口可以是发射光通过其被排出的输出端口。

在实施例中，第一管结构在发射光的行进方向上的长度可以短于第三管结构在行进方向上的长度。

在实施例中，第一内径和第三内径可以相同，并且第二内径和第四内径可以相同。

在实施例中，第二内径可以大于第一内径，并且第三内径可以大于第四内径。

在实施例中，第二端口可以是发射光通过其被引入的输入端口，并且第一端口可以是发射光通过其被排出的输出端口。

在实施例中，第一内径可以大于第二内径，并且第四内径可以大于第三内径。

在实施例中，第二内径可以大于第一内径，第四内径可以大于第三内径，并且第三内径可以大于第一内径。

在实施例中，第一端口可以包括具有第一内径的第一管结构以及延伸到第一管结构并且具有第一内径的第二管结构。第二端口可以包括具有第三内径的第三管结构以及延伸到第三管结构并且具有不同于第三内径的第四内径的第四管结构。

在实施例中，第四内径可以大于第三内径。

在实施例中，流量控制部分可以进一步包括：通道部分，包括发射光行进通过的空间；以及连接部分，将第一端口和第二端口连接到通道部分。

在实施例中，光谱装置可以包括光学发射光谱仪(OES)。