[发明专利]基片处理装置和动作状态监视方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

能够在多个位置抓持基片的周缘来保持该基片的保持部；

使所述保持部旋转的旋转部；以及

对所述保持部和所述旋转部进行控制的控制部，

所述保持部包括：

旋转盘，利用所述旋转部能够使所述旋转盘旋转；

第一抓持部，其与所述旋转盘一起旋转，并且能够在抓持所述基片的周缘的抓持位置与释放所述基片的释放位置之间移动；和

第二抓持部，其与所述旋转盘一起旋转，并且能够相对于所述第一抓持部独立地在所述抓持位置与所述释放位置之间移动，

所述基片处理装置包括检测部，所述检测部在所述旋转部旋转的期间，针对所述第一抓持部和所述第二抓持部分别利用传感器来非接触地检测位于所述抓持位置的状态和位于所述释放位置的状态，

所述控制部基于所述传感器的检测信号，来判断所述第一抓持部或所述第二抓持部的动作状态。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述传感器是出射测量光并且接收其反射光的反射型光学传感器，

所述第一抓持部和所述第二抓持部包括在所述抓持位置和所述释放位置中的任一位置具有与所述传感器的所述测量光的光轴正交的反射面的反射板。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一抓持部和所述第二抓持部通过在所述抓持位置与所述释放位置之间的移动，来改变所述反射板相对于所述传感器的距离和所述反射面的姿态。

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

所述传感器被配置成，在所述第一抓持部和所述第二抓持部位于所述抓持位置的情况下所述反射光的反射光量最大，在所述第一抓持部和所述第二抓持部位于所述释放位置的情况下所述反射光的反射光量最小。

5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一抓持部和所述第二抓持部各自形成为具有连接部位和接触部位的L字形状，其中，所述连接部位与被传递动作力的传递部连接，所述接触部位与所述连接部位连结并且在与该连接部位不同的方向上延伸而与所述基片的周缘接触，

所述传感器设置在比所述旋转盘靠下方处，能够检测所述接触部位的位移。

6.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述检测部包括基于所述传感器的所述检测信号生成脉冲信号的脉冲生成部，其中，所述脉冲信号在所述抓持位置和所述释放位置中的一个位置成为高电平，在所述抓持位置和所述释放位置中的另一个位置成为低电平。

7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：

所述控制部在所设定的采样期间对所述脉冲生成部生成的所述脉冲信号的脉冲数进行计数，基于计得的计数值来判断所述第一抓持部或所述第二抓持部是否正常地动作。

8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：

所述控制部基于所述旋转部的转速来设定多个所述采样期间。

9.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：

所述脉冲生成部具有判断阈值，在所述检测信号为所述判断阈值以上的情况下使所述脉冲信号成为所述高电平，在所述检测信号低于所述判断阈值的情况下使所述脉冲信号成为所述低电平，其中，所述判断阈值被设定在所述抓持位置和所述释放位置中的一个位置处的所述检测信号的峰值与所述抓持位置和所述释放位置中的另一个位置处的所述检测信号的峰值之间。

10.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：

所述脉冲生成部具有极限设定值，所述极限设定值用于基于所述传感器接收到的所述检测信号，来判断因老化或异物附着导致的所述检测信号的降低。