[发明专利]碳化硅晶圆切割方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，包括如下步骤：

将平行激光束在出射方向上进行汇聚，形成锥形激光束；其中，所述锥形激光束的尖端形成焦点；

将所述锥形激光束投射在碳化硅晶圆上，并按照预设深度在所述碳化硅晶圆的内部形成所述焦点，以使处于所述焦点的碳化硅晶圆的内部材质发生改质；

控制所述焦点在所述碳化硅晶圆的内部移动，以割画出若干个碳化硅晶圆块；

扩张所述碳化硅晶圆的外表面，以使所述碳化硅晶圆沿改质处分裂成若干个所述碳化硅晶圆块。

2.如权利要求1所述的碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，所述将所述锥形激光束投射在碳化硅晶圆上，并按照预设深度在所述碳化硅晶圆的内部形成所述焦点，以使处于所述焦点的碳化硅晶圆的内部材质发生改质的步骤中，所述焦点的直径小于或等于20um。

3.如权利要求1所述的碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，所述将所述锥形激光束投射在碳化硅晶圆上，并按照预设深度在所述碳化硅晶圆的内部形成所述焦点，以使处于所述焦点的碳化硅晶圆的内部材质发生改质的步骤中，所述激光为红外激光。

4.如权利要求1所述的碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，所述将平行激光束在出射方向上进行汇聚，形成锥形激光束的步骤包括：

使平行激光束通过聚焦物镜出射，以形成锥形激光束。

5.如权利要求1所述的碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，所述将平行激光束在出射方向上进行汇聚，形成锥形激光束；其中，所述锥形激光束的尖端形成焦点的步骤中，定义所述焦点的能量大小为E，其中，6μJ≤E≤10μJ。

6.如权利要求1所述的碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，所述控制所述焦点在所述碳化硅晶圆的内部移动，以割画出若干个碳化硅晶圆块的步骤包括：

保持所述焦点不动；

控制所述激光间断发射，以间断形成所述焦点；

控制所述碳化硅晶圆移动，以使所述焦点在所述碳化硅晶圆的内部移动，以割画出若干个碳化硅晶圆块。

7.如权利要求6所述的碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，所述控制所述碳化硅晶圆移动，以使所述焦点在所述碳化硅晶圆的内部移动，以割画出若干个碳化硅晶圆块的步骤包括：

控制所述碳化硅晶圆在水平面上沿预设路径移动，使所述焦点在所述碳化硅晶圆的内部移动，以割画出若干个方形，并形成一层切割层；

控制所述碳化硅晶圆每上升预设高度，便在水平面上沿所述预设路径移动，以形成一层切割层，使所有的切割层叠加形成若干个碳化硅晶圆块；

或者，移动所述碳化硅晶圆，使所述焦点在所述碳化硅晶圆的内部移动，以割画出若干个碳化硅晶圆块的步骤包括：

控制所述碳化硅晶圆在水平面上沿预设路径移动，使所述焦点在所述碳化硅晶圆的内部移动，以割画出若干个方形，并形成一层切割层；

控制所述碳化硅晶圆每下降预设高度，便在水平面上沿所述预设路径移动，以形成一层切割层，使所有的切割层叠加形成若干个碳化硅晶圆块。

8.如权利要求7所述的碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，所述控制所述碳化硅晶圆在水平面上沿预设路径移动，使所述焦点在所述碳化硅晶圆的内部移动，以割画出若干个方形，并形成一层切割层的步骤包括：

控制所述碳化硅晶圆在水平面上沿第一方向割画出若干相互间隔的第一切线；

控制所述碳化硅晶圆在水平面上沿第一方向割画出若干相互间隔的第二切线；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直，以使若干第一切线和若干第二切线纵横交错而分割出若干个方形。

9.如权利要求1所述的碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，所述控制所述焦点在所述碳化硅晶圆的内部移动，以割画出若干个碳化硅晶圆块的步骤中，所述焦点相对于所述碳化硅晶圆的移动速度大于或等于250mm/s且小于或等于500mm/s。

10.如权利要求1所述的碳化硅晶圆切割方法，其特征在于，所述扩张所述碳化硅晶圆的外表面，以使所述碳化硅晶圆沿改质处分裂成若干个所述碳化硅晶圆块的步骤包括：

对碳化硅晶圆的背面贴薄膜；

扩张所述薄膜，以扩张所述碳化硅晶圆的外表面，使所述碳化硅晶圆沿改质处分裂成若干个所述碳化硅晶圆块。