[发明专利]半导体器件及其操作方法、装置和计算机可读存储介质有效
| 申请号: | 202211226067.8 | 申请日: | 2022-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN115295059B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
| 发明(设计)人: | 亚历山大;俞剑 | 申请(专利权)人: | 浙江力积存储科技有限公司 |
| 主分类号: | G11C17/14 | 分类号: | G11C17/14;G11C11/34;G11C19/28 |
| 代理公司: | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人: | 赵新民 |
| 地址: | 321035 浙江省金华市金东*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 及其 操作方法 装置 计算机 可读 存储 介质 | ||
1.一种半导体器件的操作方法,其特征在于,所述半导体器件包括多个熔断器组,所述熔断器组包括第一熔断器和多个第二熔断器,所述操作方法包括:
加载一熔断器组内的第一熔断器,获取第一熔断器的数据;
根据所述第一熔断器的数据,对同一熔断器组内的第二熔断器进行处理,其中,所述处理包括:
在所述第一熔断器的数据指示所述熔断器组已使用的情况下,加载所述熔断器组内的第二熔断器;和/或,
在所述第一熔断器的数据指示所述熔断器组未使用的情况下,不加载所述熔断器组内的第二熔断器。
2.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,所述操作方法还包括:
重复执行权利要求1所述方法的步骤直至完成所有熔断器组的加载。
3.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,
所述半导体器件包括多个冗余存储单元,所述冗余存储单元用于替换缺陷存储单元;其中,
所述熔断器组与所述冗余存储单元一一对应,所述熔断器组的第二熔断器数量与所述缺陷存储单元的地址位数相等。
4.一种半导体器件的操作装置,其特征在于,所述半导体器件包括多个熔断器组,所述熔断器组包括第一熔断器和多个第二熔断器,所述操作装置包括:
加载模块,用于加载一熔断器组内的第一熔断器,获取第一熔断器的数据;
处理模块,用于根据所述第一熔断器的数据,对同一所述熔断器组内的第二熔断器进行处理,其中,所述处理包括:
在所述第一熔断器的数据指示所述熔断器组已使用的情况下,加载所述熔断器组内的第二熔断器;和/或,
在所述第一熔断器的数据指示所述熔断器组未使用的情况下,不加载所述熔断器组内的第二熔断器。
5.根据权利要求4所述的操作装置,其特征在于,还包括:
多个冗余存储单元,所述冗余存储单元用于替换缺陷存储单元;其中,
所述熔断器组与所述冗余存储单元一一对应,所述熔断器组的第二熔断器数量与所述缺陷存储单元的地址位数相等。
6.一种半导体器件,其特征在于,包括:
多个熔断器组,所述熔断器组包括第一熔断器和多个第二熔断器;
寄存器组件,所述寄存器组件包括多个串行设置的寄存器组,所述寄存器组包括第一寄存器和多个第二寄存器,多个第二寄存器顺次连接形成第二寄存器链,所述第二寄存器链与所述第一寄存器并行设置;其中,多个第一寄存器顺次连接形成第一寄存器链;
选择器组,包括第一选择器和多个第二选择器;其中,多个所述熔断器组通过所述第一选择器与所述寄存器组件连接,相邻第二寄存器链通过所述第二选择器连接,所述第二选择器的输入包括所述第一寄存器的输出;
多个短接线,所述短接线与所述第二寄存器链并行设置,所述短接线连接所述第一选择器和所述第二选择器,且相邻所述第二选择器通过所述短接线连接;其中,
所述选择器组用于:根据所述第一寄存器的输出,决定第二寄存器链跳过所述熔断器组内的第二熔断器对应的寄存器。
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