[发明专利]片式电阻器及片式电阻器的制造方法在审

专利信息
申请号: 202211200147.6 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115966355A 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 木村太郎;川上圭太 申请(专利权)人: KOA株式会社
主分类号: H01C1/00 分类号: H01C1/00;H01C1/032;H01C7/00;H01C17/00
代理公司: 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 代理人: 刘云贵
地址: 日本国长野*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电阻器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种片式电阻器,其特征在于,包括:

长方体形状的绝缘基板;

成对的电极,其设于所述绝缘基板的主面两端部;

电阻体,其连接于成对的所述电极之间;

第一保护膜,其具有绝缘性并覆盖所述电阻体的整体和所述电极的连接部分;

成对的第一导电膜,其覆盖所述第一保护膜的两端部和从所述第一保护膜露出的所述电极的露出部整体;

第二保护膜,其具有绝缘性并覆盖所述第一保护膜的至少一部分和所述第一保护膜的两端部重叠的所述第一导电膜的一个端部;

成对的第二导电膜,其在覆盖从所述第二保护膜露出的所述第一导电膜的露出部整体的同时,与所述第二保护膜的两端部相接;

成对的端面电极,其在所述绝缘基板的两端面延伸,并与所述电极和所述第一导电膜及所述第二导电膜的各端部连接;及

成对的外部镀层,其覆盖所述端面电极和所述第二导电膜;

其中,所述第一导电膜和所述第二导电膜由具有比起所述电极更难以硫化的特性的金属材料所形成。

2.根据权利要求1所述的片式电阻器,其特征在于,所述外部镀层具有由镀Ni制成的阻挡层,在所述第一导电膜由包含Cr的合金材料所形成的同时,所述第二导电膜由包含Ni的合金材料所形成。

3.根据权利要求2所述的片式电阻器,其特征在于,所述第一导电膜是Cr的含有量为50wt%以上的Ni-Cr,所述第二导电膜是Cr的含有量为50wt%以下的Ni-Cr。

4.根据权利要求2或3所述的片式电阻器,其特征在于,所述第一导电膜为具有1.0μm以上的膜厚的溅镀膜。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的片式电阻器,其特征在于,于所述第一保护膜的表面形成粗面化处理的粗面部,所述第一导电膜的一部分形成于所述粗面部上。

6.一种片式电阻器的制造方法,其特征在于,包含以下工序:

形成电极,其于绝缘基板上连接电阻体和所述电阻体的两端部;

形成第一保护膜,其具有绝缘性并覆盖所述电阻体的整体和所述电极的连接部分;

形成第一导电膜,其通过在所述第一保护膜的两端部和从所述第一保护膜露出的所述电极的露出部分的表面溅镀金属粒子而成,并由具有比起所述电极更难以硫化的特性的金属材料制成;

形成第二保护膜,其具有绝缘性并覆盖所述第一保护膜的除去两端部后残余的部分和所述第一保护膜的两端部重叠的所述第一导电膜的一个端部;

形成第二导电膜,其通过在所述第二保护膜的两端部和从所述第二保护膜露出的所述第一导电膜的露出部分的表面溅镀金属粒子而成,并由具有比起所述电极更难以硫化的特性的金属材料制成;

形成端面电极,其通过在所述绝缘基板的端面溅镀金属粒子而成,并与所述电极和所述第一导电膜及所述第二导电膜的各端部连接;及

形成外部镀层,其通过施予电解电镀而成,并覆盖所述端面电极和所述第二导电膜。

7.根据权利要求6所述的片式电阻器的制造方法,其特征在于,形成所述第一导电膜和所述第二导电膜的溅镀朝向所述绝缘基板的上面执行。

8.根据权利要求6所述的片式电阻器的制造方法,其特征在于,进一步包含通过酸或碱溶液将所述第二保护膜的表面粗面化的工序。

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