[发明专利]器件芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202211190045.0 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115954326A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 小川雄辉;渡部晃司;桥本一辉;青柳元 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/56;H01L21/683;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 芯片 制造 方法 | ||
1.一种器件芯片的制造方法，将被加工物分割而制造器件芯片，该被加工物在正面侧具有构成器件的层叠体，该器件设置于由多条交叉的分割预定线划分的多个区域，其特征在于，
该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：
支承部件固定步骤，在该被加工物的正面侧固定支承部件；
背面磨削步骤，在该支承部件固定步骤之后，对该被加工物的背面侧进行磨削；
支承部件去除步骤，在该背面磨削步骤之后，将该支承部件从该被加工物的正面侧去除；
加工槽形成步骤，在该支承部件去除步骤之后，从该被加工物的正面侧沿着该分割预定线照射对于该层叠体具有吸收性的波长的激光束，沿着该分割预定线形成将该层叠体断开的加工槽；
树脂层形成步骤，在该加工槽形成步骤之后，在该被加工物的正面侧形成树脂层；以及
分割步骤，在该树脂层形成步骤之后，沿着该分割预定线将该被加工物和该树脂层分割。
2.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法，其特征在于，
该器件芯片的制造方法还包含如下的背面图案形成步骤：在该背面磨削步骤之后，在该被加工物的背面侧形成图案。
3.根据权利要求1或2所述的器件芯片的制造方法，其特征在于，
该器件芯片的制造方法还包含如下的保护膜形成步骤：在该加工槽形成步骤之前，在该被加工物的正面侧形成保护膜。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的器件芯片的制造方法，其特征在于，
该器件芯片的制造方法还包含如下的等离子蚀刻步骤：在该加工槽形成步骤之后，从该被加工物的正面侧提供等离子状态的蚀刻气体而将残留于该被加工物或该层叠体的加工应变或异物去除。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的器件芯片的制造方法，其特征在于，
在该分割步骤中，利用切削刀具沿着该分割预定线将该被加工物和该树脂层切断。
6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的器件芯片的制造方法，其特征在于，
该器件芯片的制造方法还包含如下的扩展片粘贴步骤：在该分割步骤之前，将具有伸长性的扩展片粘贴于该被加工物，
该分割步骤包含如下的步骤：
改质层形成步骤，将对于该被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该被加工物的内部而照射该激光束，由此在该被加工物中沿着该分割预定线形成改质层；以及
扩展步骤，在该改质层形成步骤之后，对该扩展片进行扩展。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
