[发明专利]一种容积式锡膏喷射控制电路

权利要求书

1.一种容积式锡膏喷射控制电路，其特征在于：包括电机驱动模块、第一压电陶瓷驱动模块和第二压电陶瓷驱动模块，电机驱动模块包括电机驱动芯片U25，电机驱动芯片U25包括使能端口EN-MOTOR、PWM端口CLK-MOTOR_IN1和转向控制端口DIR-MOTOR，使能端口EN-MOTORR与主控MCU连接，接收电机使能信号，PWM端口CLK-MOTOR_IN1与主控MCU连接，接收电机运行速度控制信号，转向控制端口DIR-MOTOR与主控MCU连接，接收电机正反转控制信号，电机驱动芯片U25与电机连接，输出电机使能信号、电机运行速度控制信号和电机正反转控制信号给电机，控制电机的正反转和运行速度，使电机驱动螺杆对阀体和流道进行搅拌以及清洗；

第一压电陶瓷驱动模块与主控MCU连接，第一压电陶瓷驱动模块与伸缩杆连接，用于接收主控MCU驱动信号后驱动伸缩杆打开或关闭流道锡膏的供料；

第二压电陶瓷驱动模块与主控MCU连接，第二压电陶瓷驱动模块与撞针连接，用于接收主控MCU驱动信号后驱动撞针对阀体容积式腔体中的锡膏进行撞击喷射。

2.如权利要求1所述的一种容积式锡膏喷射控制电路，其特征在于：所述电机驱动模块还包括参考电压单元，所述电机驱动芯片U25还包括参考电压端口Vref_MOTOR，参考电压端口Vref_MOTOR与参考电压单元连接，用于接收参考电压。

3.如权利要求1所述的一种容积式锡膏喷射控制电路，其特征在于：所述第一压电陶瓷驱动模块包括截止驱动芯片U16、N-MOS管Q19、N-MOS管Q20、二极管D36、自举电容C168和第一稳压单元，截止驱动芯片U16包括第一电源端口VCC、第一输入端口HIN、第一输入端口LIN、第一输出端口VB、第一输出端口HO、第一输出端口VS和第一输出端口LO，

第一输入端口HIN和第一输入端口LIN与主控MCU连接，接收主控MCU的PWM驱动信号，第一输出端口HO与N-MOS管Q19的栅极连接，第一输出端口LO与N-MOS管Q20的栅极连接，第一电源端口VCC与二极管D36的正极连接，二极管D36的负极与自举电容C168连接，自举电容C168的另一端连接有第一连接点，该第一连接点与N-MOS管Q19的源极连接，并与N-MOS管Q20的漏极连接，第一连接点输出截止驱动正电压PZT-A+，第一稳压单元与第一电源连接，稳压后输出截止驱动负电压PZT-A-，驱动伸缩杆。

4.如权利要求3所述的一种容积式锡膏喷射控制电路，其特征在于：所述第二压电陶瓷驱动模块包括喷射驱动芯片U18、N-MOS管Q21、N-MOS管Q22、二极管D45、自举电容C181和第二稳压单元，喷射驱动芯片U18包括第二电源端口VCC、第二输入端口HIN、第二输入端口LIN、第二输出端口VB、第二输出端口HO、第二输出端口VS和第二输出端口LO，

第二输入端口HIN和第二输入端口LIN与主控MCU连接，接收主控MCU的PWM驱动信号，第二输出端口HO与N-MOS管Q21的栅极连接，第二输出端口LO与N-MOS管Q22的栅极连接，第二电源端口VCC与二极管D45的正极连接，二极管D45的负极与自举电容C181连接，自举电容C181的另一端连接有第二连接点，该第二连接点与N-MOS管Q21的源极连接，并与N-MOS管Q22的漏极连接，第二连接点输出喷射驱动正电压PZT-B+，第二稳压单元与第一电源连接，稳压后输出喷射驱动负电压PZT-B-，驱动撞针。

5.如权利要求3所述的一种容积式锡膏喷射控制电路，其特征在于：所述第一稳压单元包括电阻R235、电阻R240、分压电阻R245、分压电阻R246、稳压二极管Z3、滤波电容EC2和滤波电容EC4,电阻R235的一端与第一电源连接，另一端与电阻R240连接，电阻R240的另一端连接有第三连接点，该第三连接点与稳压二极管Z3的负极连接，并与分压电阻R245和分压电阻R246的一端电性连接，第三连接点输出截止驱动负电压PZT-A-；

稳压二极管Z3的正极连接有第四连接点，该第四连接点与分压电阻R245和分压电阻R246的另一端连接；

滤波电容EC2和滤波电容EC4的一端与所述第三连接点连接，另一端与所述第四连接点连接。