[发明专利]一种修正光掩模图形位置偏差的设备及方法在审
| 申请号: | 202211047725.7 | 申请日: | 2022-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN115494695A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
| 发明(设计)人: | 郑怀志;施维 | 申请(专利权)人: | 广州新锐光掩模科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/72;G03F1/48 |
| 代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 黎飞鸿;黄贞君 |
| 地址: | 510555 广东省广州市(*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 修正 光掩模 图形 位置 偏差 设备 方法 | ||
本申请提供了一种修正光掩模图形位置偏差的设备及方法,属于光掩模技术领域,具体包括上盖板和下盖板,上盖板和下盖板之间通过上盖板支柱连接,上盖板下侧设有光掩模,光掩模通过光掩模支柱固定于下盖板上,光掩模下侧设有保护膜边框,保护膜边框内设有保护膜,保护膜边框通过保护膜支柱固定于下盖板上,上盖板支柱、光掩模支柱和保护膜支柱均设置为可伸缩结构;保护膜边框的外周设有控制棒,控制棒远离保护膜边框的一端连接有微距控制组件,微距控制组件用于控制控制棒带动保护膜边框进行移动;设备还包括控制系统,与设备内的各个部件连接进行控制。本申请提高了光掩模图形位置准确性和芯片良率。
技术领域
本申请涉及光掩模技术领域,尤其涉及一种修正光掩模图形位置偏差的设备及方法。
背景技术
光掩模的图形位置的准确性是评价光掩模品质的关键因素,若光掩模图形的位置有偏差,会使得芯片上下层的套准出现问题,导致电性异常甚至良率下降。影响图形位置准确性的因素用很多,例如光刻机的精准度,光刻时温度的稳定,铬膜及钼化硅膜的应力,保护膜造成的形变等等。
光掩模在贴保护膜(Pellicle)时,因为边框及胶的材料因素,以及贴合时施力不均都可能会让保护膜对光掩模产生应力而发生形变,这个称为PID(Pellicle InducedDistortion,膜诱导变形),PID会使得光掩模的图形位置产生偏差,所以现在保护膜及贴膜设备都在朝着降低PID的形式发展。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种修正光掩模图形位置偏差的设备及方法,至少部分解决现有技术中存在的保护膜会对光掩模产生形变的问题。
第一方面,本申请实施例提供一种修正光掩模图形位置偏差的设备,包括上盖板和下盖板,所述上盖板和所述下盖板之间通过上盖板支柱连接,所述上盖板下侧设有光掩模,所述光掩模通过光掩模支柱固定于所述下盖板上,所述光掩模下侧设有保护膜边框,所述保护膜边框内设有保护膜,所述保护膜边框通过保护膜支柱固定于所述下盖板上,所述上盖板支柱、所述光掩模支柱和所述保护膜支柱均设置为可伸缩结构;
所述保护膜边框的外周设有控制棒,所述控制棒远离所述保护膜边框的一端连接有微距控制组件,所述微距控制组件用于控制所述控制棒带动所述保护膜边框进行移动;
所述设备还包括控制系统,所述控制系统与所述设备内的各个部件连接进行控制。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述控制棒的中心设置为真空结构,所述真空结构用于吸附所述保护膜边框。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述微距控制组件包括压电陶瓷。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述控制棒的直径小于2mm。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述保护膜边框的各个边均匀的设有多个控制棒,每个所述控制棒单独控制。
第二方面,本申请实施例还提供一种修正光掩模图形位置偏差的方法,采用如第一方面任一实施例所述的修正光掩模图形位置偏差的设备,所述方法包括:
获得保护膜边框的变形量与光掩模图形位置变化的关系;
量测贴膜前光掩模图形位置偏差;
计算保护膜边框的变形量,获取各个控制棒的伸缩量;
控制系统控制微距控制组件带动控制棒进行伸缩,对保护膜边框进行变形调整,修正光掩模图形位置偏差;
进行光掩模的保护膜贴膜;
量测光掩模贴膜后图形位置偏差是否在预设值内;
若贴膜后图形位置偏差超出预设值,则继续调整,直至达到预设值。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述微距控制组件包括压电陶瓷。
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