[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括处理室、等离子体源、承载座、偏压电源和线圈组件，所述承载座与所述偏压电源电性连接，所述承载座位于所述处理室中，至少部分所述等离子体源位于所述处理室外；所述承载座的承载面用于承载待处理件；

所述等离子体源用于产生等离子体，所述等离子体位于所述处理室中，且与所述承载座相对设置；

所述线圈组件用于产生磁场，所述承载面位于所述磁场中，所述磁场作用于所述等离子体中的离子，以使所述离子受到垂直于磁场方向的洛伦兹力。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述线圈组件包括线圈和线圈电源，所述线圈和所述线圈电源电性连接，所述线圈电源包括交流电源和/或直流电源。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括支撑件和驱动组件，所述线圈位于所述支撑件上，所述支撑件与所述驱动组件连接。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动组件包括平动驱动件，所述平动驱动件与所述支撑件连接，所述平动驱动件用于带动所述支撑件沿靠近和远离所述承载面的方向运动。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，靠近和远离所述承载面的方向包括第一平动方向，所述第一平动方向平行于所述承载面所在的平面。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，靠近和远离所述承载面的方向包括第二平动方向，所述第二平动方向平行于所述承载面所在的平面，且所述第一平动方向和所述第二平动方向不同。

7.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，靠近和远离所述承载面的方向包括第三平动方向，所述第三平动方向与所述承载面所在的平面相交。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第三平动方向与所述承载面所在的平面垂直。

9.根据权利要求3-8任一所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动组件包括转动驱动件，所述转动驱动件与所述支撑件连接，所述转动驱动件用于带动所述支撑件沿所述支撑件的中心转动；

所述支撑件的中心与所述线圈的中心同轴设置。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑件的转动方向包括第一转动方向，所述支撑件沿所述第一转动方向转动并形成第一转动面，所述第一转动面平行于所述承载面所在的平面。

11.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑件的转动方向包括第二转动方向，所述支撑件沿所述第二转动方向转动并形成第二转动面，所述第二转动面与所述承载面所在的平面相交。

12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二转动面与所述承载面所在的平面垂直。

13.根据权利要求2-8任一所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述线圈围设在所述承载座的外侧。

14.根据权利要求2-8任一所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述线圈的直径的范围为8英寸-20英寸。

15.根据权利要求2-8任一所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述处理室包括壳体，所述壳体围设形成容纳腔，所述承载座位于所述容纳腔中；所述线圈位于所述处理室外，位于所述线圈内侧的所述壳体由绝缘材料形成。