[发明专利]记录有指令的非瞬态计算机可读介质

说明书

本文描述了在其上记录有指令的非瞬态计算机可读介质，指令被实施用于评估设计布局的所选图案集合的方法。方法包括：获得(i)由图案选择过程产生的第一图案集合，(ii)与第一图案集合相关联的第一图案数据，(iii)与第一图案数据相关联的特性数据，以及(iv)与第二图案集合相关联的第二图案数据。机器学习模型基于特性数据来训练，其中机器学习模型被配置为预测输入图案的图案数据。第二图案集合被输入到经训练的机器学习模型，以预测第二图案集合的第二图案数据。第一图案集合通过比较第二图案数据和预测的第二图案数据来评估。

技术领域

本文的描述大体上涉及改进量测测量和光刻相关过程。更具体地，用于为图案化过程中使用的量测测量值或训练模型评估图案集合的设备、方法和计算机程序产品。

背景技术

光刻投影设备可以例如在集成电路(IC)的制造中使用。在这种情况下，图案形成装置(例如掩模)可以包含或提供与IC的单个层相对应的图案(“设计布局”)，并且通过诸如通过图案形成装置上的图案照射目标部分等方法，该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上，该目标部分已经被涂有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常，单个衬底包含多个相邻的目标部分，图案由光刻投影设备连续地转印至该目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案被一次转印到一个目标部分上；这种设备一般被称为步进器。在一般称为步进扫描设备的替代设备中，投影束沿着给定参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置上进行扫描，同时平行于或反平行于该参考方向移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐转印到一个目标部分。通常，由于光刻投影设备将具有缩小率M(例如4)，所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的1/M倍。关于光刻装置的更多信息可以例如从US 6,046,792中发现，其通过引用并入本文。

在将图案从图案形成装置转印到衬底之前，衬底可能会经历各种程序，诸如涂覆、抗蚀剂涂层和软烘烤。在曝光后，衬底可以进行其他程序(“曝光后程序”)，诸如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤以及转印图案的测量/检查。该程序阵列被用作制造装置(例如IC)的单个层的基础。然后，衬底可以经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些过程都旨在完成装置的单个层。如果装置中需要多层，那么整个程序或其变型针对每层重复。最终，装置将存在于衬底上的每个目标部分中。然后，这些装置通过诸如切割或锯切等技术彼此分离，从而单个装置可以被安装在载体上，连接至引脚等。

因此，诸如半导体器件等制造装置通常涉及使用许多制造过程来处理衬底(例如半导体晶片)，以形成装置的各种特征和多层。这种层和特征通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理。多个装置可以被制作在衬底上的多个管芯上，然后被分离为单独的装置。该装置制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案形成步骤，诸如使用光刻设备中的图案形成装置进行光学和/或纳米印刷光刻，以将图案形成装置上的图案转印到衬底，并且通常但可选地涉及一个或多个相关的图案处理步骤，诸如由显影设备进行抗蚀剂显影，使用烘烤工具进行衬底的烘烤，使用蚀刻设备使用图案进行蚀刻等。

发明内容

在实施例中，提供了一种用于评估来自设计布局的所选图案集合的方法，例如用于执行量测测量和/或为计算光刻机器学习模型生成训练数据集。使用量测工具对图案化衬底进行测量是一个耗时的过程，并且会影响半导体制造过程的吞吐量(例如每小时制造的芯片数量)。通常，设计布局上可能有数百万个图案期望印刷在芯片上。在期望时间内测量所有这些图案以满足半导体制造过程的吞吐量规范是不切实际的。因此，通常减少的图案集合从设计布局中选择以进行测量。

这些测量可以用于与图案化过程相关的各种目的。在实施例中，测量可以被用于监测或调整半导体制造过程的图案化过程。在实施例中，测量可以被用于模型校准或与图案化过程相关的训练模型。因此，为量测测量选择的减少的图案集合可以被评估，因此即使使用减少的测量，对图案化过程的准确控制和调整也可以被实现。