[发明专利]一种高频不可逆电穿孔高压脉冲发生器在审
| 申请号: | 202210911429.0 | 申请日: | 2022-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN115622539A | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
| 发明(设计)人: | 刘永芳;张兵;朱超 | 申请(专利权)人: | 汇微医疗科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号: | H03K3/57 | 分类号: | H03K3/57;H02M9/04;A61B18/00 |
| 代理公司: | 苏州吴韵知识产权代理事务所(普通合伙) 32364 | 代理人: | 王莉 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高频 可逆 穿孔 高压 脉冲 发生器 | ||
1.一种高频不可逆电穿孔高压脉冲发生器,包括触发设置及产生模块(1)和脉冲发生模块(2),其特征在于:所述触发设置及产生模块(1)与脉冲发生模块(2)电性连接,所述脉冲发生模块(2)与脉冲变压器(3)电性连接,所述脉冲变压器(3)与负载(4)电性连接,所述脉冲发生模块(2)与充电模块(5)电性连接;
所述脉冲发生模块(2)由多个单元脉冲发生模块(2)叠加而成,所述单元脉冲发生模块(2)放电在产生脉冲并连接到脉冲变压器(3)初级侧,脉冲变压器(3)将初级脉冲耦合到次级并在负载(4)端输出双极性脉冲电压。
2.根据权利要求1所述的一种高频不可逆电穿孔高压脉冲发生器,其特征在于:每个所述单元脉冲发生模块(2)均包括储能电容、MOSFET开关、二极管和脉冲变压器(3)初级绕组,所述充电模块(5)为单元脉冲发生模块(2)的储能电容进行充电。
3.根据权利要求2所述的一种高频不可逆电穿孔高压脉冲发生器,其特征在于:每个所述单元脉冲发生模块(2)包括四路MOSFET开关,四路MOSFET开关分别为MOSFET开关M1、MOSFET开关M2、MOSFET开关M3和MOSFET开关M4。
4.根据权利要求3所述的一种高频不可逆电穿孔高压脉冲发生器,其特征在于:每路MOSFET开关至少包括一个MOSFET,多个MOSFET采用并联的方式。
5.根据权利要求1所述的一种高频不可逆电穿孔高压脉冲发生器,其特征在于:所述充电模块(5)采用负极性充电模块。
6.根据权利要求1或5所述的一种高频不可逆电穿孔高压脉冲发生器,其特征在于:所述充电模块(5)的电压为0-1KV连续可调。
7.根据权利要求1所述的一种高频不可逆电穿孔高压脉冲发生器,其特征在于:所述脉冲变压器(3)的初级线圈进行并联,次级共用1匝线圈并组成同轴输出结构。
8.根据权利要求7所述的一种高频不可逆电穿孔高压脉冲发生器,其特征在于:所述脉冲变压器(3)的磁芯由多个圆环组成,每个磁芯由多个初级单元绕组组成,每个单元初级绕组与次级绕组的匝数比为N2,次级绕组为单匝线圈从第一个磁芯绕到最后一个磁芯。
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