[发明专利]存储器管理方法、存储器控制器及存储器存储装置

说明书

本发明属于存储技术领域，其提供一种存储器管理方法、存储器控制器与存储器存储装置，其获取多个实体单元的读取次数，将读取次数中超过第一阈值的实体单元记录为风险实体单元；获取风险实体单元的第一读取时间值，将第一读取时间值不大于第二阈值的风险实体单元记录为目标实体单元；将目标实体单元中的数据复制至第一实体单元中，第一实体单元为存储器模块中操作值最小的实体单元。藉此，一方面降低高频被读取的数据被再次执行数据搬移操作的次数；另外一方面避免存储器存储装置中的部分实体单元快速地到达其抹除次数的最大值，进而影响存储器存储装置的寿命。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种存储器管理方法、存储器控制器及存储器存储装置。

背景技术

可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小与无机械结构等特性，故被广泛地应用于各种电子装置。可复写式非易失性存储器具有多个实体单元(physical block)，每一实体单元包括多个实体程序化单元(physical page)。其中，实体单元为数据抹除的最小单位，而实体程序化单元面则是数据写入的最小单位。

在主机系统欲从存储器存储装置中读取存储数据时，存储器存储装置会根据读取指令从实体单元中读取数据。一般在多次对实体程序化单元进行数据操作时，可能对同一个实体单元内其它实体程序化单元的数据操作造成干扰，造成读取数据出错。

如何处理读取干扰问题实为本发明领域技术人员所致力研究的课题之一。

发明内容

本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制器与存储器存储装置，可解决存储器存储装置中实体单元的读干扰的技术问题。

本发明的一实施例提供一种存储器管理方法，应用于存储器存储装置，所述存储器存储装置包括存储器模块，所述存储器模块包括多个实体单元，所述实体单元包括多个实体程序化单元，所述方法包括：获取所述多个实体单元的读取次数，将所述读取次数中超过第一阈值的所述实体单元记录为风险实体单元；获取所述风险实体单元的第一读取时间值，将所述第一读取时间值不大于第二阈值的所述风险实体单元记录为目标实体单元；将所述目标实体单元中的数据复制至第一实体单元中，所述第一实体单元为所述存储器模块中操作值最小的实体单元；根据所述第一实体单元的物理地址而更新所述数据的逻辑至物理映射关系。

进一步，在一实施例中，其中获取所述多个实体单元的读取次数和获取所述风险实体单元的第一读取时间值的步骤包括：建立第一读取次数表和第二读取次数表；

所述第一读取次数表用于记录所述多个实体单元的读取次数，按照读取次数对所述第一读取次数表中的实体单元进行排序，其中所述读取次数越大，所述实体单元的排序越高；所述第二读取次数表用于记录所述风险实体单元的第一读取时间值，所述第一读取时间值为所述风险实体单元最近一次被读取到现在的时间间隔，按照所述第一读取时间值对所述风险实体单元进行排序，其中所述第一读取时间值越小，所述风险实体单元的排序越高；从所述第二读取次数表中挑选所述第一读取时间值不大于第二阈值的所述风险实体单元，将所述第一读取时间值不大于第二阈值的所述风险实体单元记录为第二实体单元；从所述第二实体单元中挑选出所述目标实体单元。

进一步，在一实施例中，从所述第二实体单元中挑选出所述目标实体单元的步骤包括：获取所述第二实体单元的第一实体程序化单元的第二读取时间值，将所述第二读取时间值大于第三阈值的所述第二实体单元记录为所述目标实体单元，所述第二读取时间值为响应于数据读取指令而成功地读取到存储于所述第一实体程序化单元中数据的时间。