[发明专利]单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统

权利要求书

1.一种单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器，其特征在于，该断路器包括SiCMOSFET驱动电路、SiC MOSFET器件M₁～M_n、驱动电阻R_g1～R_gn、二极管D₁～D_n-1、RCD缓冲电路、压敏电阻MOV和压敏电阻MOV_cs；n为大于等于2的正整数；

每个SiC MOSFET器件对应一个RCD缓冲电路和一个压敏电阻MOV，压敏电阻MOV的两端与SiC MOSFET器件的源极和漏极连接，每个RCD缓冲电路的电容均并联一个压敏电阻MOV_cs，压敏电阻MOV和压敏电阻MOV_cs的型号相同；

上一个SiC MOSFET器件的漏极和下一个SiC MOSFET器件的源极连接，实现SiC MOSFET器件M₁～M_n的串联；SiC MOSFET驱动电路的一端与SiC MOSFET器件M₁的源极连接，SiCMOSFET驱动电路的输出端通过驱动电阻R_g1与SiC MOSFET器件M₁的栅极连接；SiC MOSFET驱动电路的输出端同时串联有二极管D₁～D_n-1，二极管D₁～D_n-1通过各自的驱动电阻分别与SiCMOSFET器件M₂～M_n的栅极连接；SiC MOSFET器件M₂～M_n各连接一个稳压二极管，稳压二极管的阳极与SiC MOSFET器件的源极相连，稳压二极管的阴极与SiC MOSFET器件的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器，其特征在于，所述RCD缓冲电路包括二极管D_S、电容C_S和电阻R_S；二极管D_S与电阻R_s并联，二极管D_S的阴极与电容C_s的一端连接，电容C_s的另一端与对应SiC MOSFET器件的源极连接，压敏电阻MOV_cs并联在电容C_s的两端；上一个RCD缓冲电路的二极管D_S的阳极与下一个SiC MOSFET器件的栅极连接，最后一个RCD缓冲电路的二极管D_S的阳极与对应SiC MOSFET器件的漏极连接。

3.一种直流配电系统，包括依次串联的直流电源、限流电感、直流固态断路器和负载；其特征在于，所述直流固态断路器为权利要求1～2任一所述的单驱动控制的串联SiCMOSFET直流固态断路器。