[发明专利]一种限幅方法

权利要求书

1.一种限幅方法，所述方法包括使用一种大功率限幅器模块，其特征在于，所述大功率限幅器模块包括从输入端至输出端依次连接的输入匹配网络(1)、硅PIN二极管限幅器(2)、级间匹配网络(3)、砷化镓限幅器芯片(4)以及输出匹配网络(5)，所述输入匹配网络(1)、级间匹配网络(3)以及输出匹配网络(5)均包含分布式电容和分布式电感；所述输入匹配网络(1)用于实现外界电路与限幅器模块内部电路的阻抗匹配，减小整个限幅器模块的输入回波损耗，降低插入损耗；所述硅PIN二极管限幅器(2)用于承受输入信号的大功率，并初步衰减输入的大功率信号；所述级间匹配网络(3)用于实现硅PIN二极管限幅器输出端匹配到砷化镓限幅器芯片的输入端，减小硅PIN二极管限幅器和砷化镓限幅器芯片之间的回波损耗，降低插入损耗；所述砷化镓限幅器芯片(4)用于进一步衰减大功率信号、降低整个限幅器模块的限幅电平以及提高响应速度；所述输出匹配网络(5)用于实现外界电路与限幅器模块内部电路的阻抗匹配，减小整个限幅器模块的输出回波损耗，降低插入损耗。

2.根据权利要求1所述的限幅方法，其特征在于，所述输入匹配网络(1)包括第一传输线(101)、第一分布式电感(102)、第二分布式电感(104)、第一分布式电容(103)和第二分布式电容(105)，所述第一传输线(101)为宽度在0.4～0.8mm且长度为3～6mm的微带线，所述第一分布式电感(102)和第二分布式电感(104)分别设置在第一传输线(101)的上下两侧，且二者均由长度为0.15～0.25mm且宽度为0.2～0.35mm的微带线组成，所述第一分布式电容(103)和第二分布式电容(105)分别与所述第一分布式电感(102)和第二分布式电感(104)连接，且二者均由长度为0.7～1.3mm且宽度为0.7～1.3mm的微带线与背面的地形成；优选所述第一分布式电感(102)、第二分布式电感(104)、第一分布式电容(103)和第二分布式电容(105)均设置在靠近PIN二极管限幅器(2)的第一传输线(101)一端。

3.根据权利要求1所述的限幅方法，其特征在于，所述硅PIN二极管限幅器(2)包括两个并联到地的硅PIN二极管，即第一硅PIN二极管(201)和第二硅PIN二极管(202)。

4.根据权利要求1所述的限幅方法，其特征在于，所述级间匹配网络(3)包括第二传输线(301)、第三分布式电感(302)、第四分布式电感(304)、第三分布式电容(303)和第四分布式电容(305)，所述第二传输线(301)为宽度在0.4～0.8mm且长度为8～15mm的微带线，所述第三分布式电感(302)和第四分布式电感(304)分别设置在第二传输线(301)的上下两侧，且二者均由长度为0.15～0.25mm且宽度为0.2～0.35mm的微带线组成，所述第三分布式电容(303)和第四分布式电容(305)分别与所述第三分布式电感(302)和第四分布式电感(304)连接，且二者均由长度为1～1.6mm且宽度为1～1.6mm的微带线与背面的地形成；优选所述第三分布式电感(302)、第四分布式电感(304)、第三分布式电容(303)和第四分布式电容(305)均设置在靠近PIN二极管限幅器(2)的第二传输线(301)一端。

5.根据权利要求1所述的限幅方法，其特征在于，所述砷化镓限幅器芯片(4)包含砷化镓单片微波集成电路限幅器(401)，且砷化镓限幅器芯片(4)尺寸为1.2～1.6mm×0.5～0.9mm。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的限幅方法，其特征在于，所述输出匹配网络(5)包括第三传输线(501)、第五分布式电感(502)和第五分布式电容(503)，所述第三传输线(501)为宽度在0.4～0.7mm且长度为3～6mm的微带线，所述第五分布式电感(502)连接在第三传输线(501)上，且其由长度0.25～0.4mm且宽度为0.15～0.25mm的微带线组成，所述第五分布式电容(503)与第五分布式电感(502)连接，且由长度为0.3～0.7mm且宽度为0.3～0.7mm的微带线与背面的地形成；优选所述第五分布式电感(502)和第五分布式电容(503)均设置在远离砷化镓限幅器芯片(4)的第三传输线(501)的一端。

7.根据权利要求1～5中任意一项所述的限幅方法，其特征在于，限幅器模块整体采用氮化铝陶瓷基板。