[发明专利]电容器组件在审
| 申请号： | 202210757317.4 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN116110717A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 车鎭旭;李昌玟;尹惠圣;张宣儿;任志爀;李奇容 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/224 | 分类号： | H01G4/224;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王锐;张红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 组件 | ||
1.一种电容器组件，包括：
主体，包括介电层及第一内电极层和第二内电极层；以及
外电极，设置在所述主体上并且分别连接到所述第一内电极层和所述第二内电极层，
其中，所述主体包括有效部、覆盖部和侧边缘部，在所述有效部中，所述第一内电极层和所述第二内电极层交替地设置且所述介电层介于所述第一内电极层与所述第二内电极层之间，所述覆盖部设置在所述有效部的上部和下部上，所述侧边缘部设置在所述有效部的彼此相对的两侧上，并且
当所述有效部中包括的镁含量为A1，所述覆盖部中包括的镁含量为C1，并且所述侧边缘部中包括的镁含量为M1时，满足0A1M1≤C1且A1/C1≤0.62。
2.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述介电层的平均厚度小于或等于400nm。
3.根据权利要求2所述的电容器组件，其中，所述介电层的厚度的相对标准偏差小于或等于20％。
4.根据权利要求2所述的电容器组件，其中，所述第一内电极层的平均厚度小于或等于400nm。
5.根据权利要求3所述的电容器组件，其中，所述第一内电极层的厚度的相对标准偏差小于或等于20％。
6.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述有效部的孔隙率小于或等于0.01％。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的电容器组件，其中，当所述有效部的孔隙率为A2，所述覆盖部的孔隙率为C2，并且所述侧边缘部的孔隙率为M2时，满足A2/C2≥0.003且M2/C2≥0.24。
8.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述外电极包括设置在所述主体上的第一电极层和设置在所述第一电极层上的第二电极层。
9.根据权利要求8所述的电容器组件，其中，所述第二电极层包括镍和锡中的至少一种。
10.一种电容器组件，包括：
主体，包括介电层及第一内电极层和第二内电极层；以及
外电极，设置在所述主体上并且分别连接到所述第一内电极层和所述第二内电极层，
其中，所述主体包括有效部、覆盖部和侧边缘部，在所述有效部中，所述第一内电极层和所述第二内电极层交替地设置且所述介电层介于所述第一内电极层与所述第二内电极层之间，所述覆盖部设置在所述有效部的上部和下部上，所述侧边缘部设置在所述有效部的彼此相对的两侧上，
当所述有效部中包括的镁含量为A1，所述覆盖部中包括的镁含量为C1，并且所述侧边缘部中包括的镁含量为M1时，满足0A1M1≤C1，并且
所述有效部的孔隙率小于或等于0.01％。
11.根据权利要求10所述的电容器组件，其中，当所述有效部的孔隙率为A2，所述覆盖部的孔隙率为C2，并且所述侧边缘部的孔隙率为M2时，满足A2/C2≥0.003且M2/C2≥0.24。
12.一种电容器组件，包括：
主体，包括介电层及第一内电极层和第二内电极层；以及
外电极，设置在所述主体上并且分别连接到所述第一内电极层和所述第二内电极层，
其中，所述主体包括有效部、覆盖部和侧边缘部，在所述有效部中，所述第一内电极层和所述第二内电极层交替地设置且所述介电层介于所述第一内电极层与所述第二内电极层之间，所述覆盖部设置在所述有效部的上部和下部上，所述侧边缘部设置在所述有效部的彼此相对的两侧上，
当所述有效部中包括的镁含量为A1，所述覆盖部中包括的镁含量为C1，并且所述侧边缘部中包括的镁含量为M1时，满足0A1M1≤C1，并且
当所述有效部的孔隙率为A2并且所述覆盖部的孔隙率为C2时，满足A2/C2≥0.003。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社，未经三星电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210757317.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
