[发明专利]基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关

权利要求书

1.基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，包括有屏蔽盒(3)，屏蔽盒(3)内部设置有多通道导电开关单元(2)，屏蔽盒(3)顶部的开口处设置有位相型触发光栅系统(1)，位相型触发光栅系统(1)位于多通道导电开关单元(2)上方；

所述位相型触发光栅系统(1)包括由上至下依次设置的滤光片(1-1)及相位光栅(1-2)；

所述多通道导电开关单元(2)包括由下至上依次设置的支撑层(2-1)、砷化镓层(2-2)，砷化镓层(2-2)的上表面设置有两个金属电极(2-3)，两个金属电极(2-3)之间设置有两组侧墙单元(2-4)，两组侧墙单元(2-4)之间刻蚀有若干个沟道(2-5)，相位光栅(1-2)的狭缝与沟道(2-5)一一对应。

2.根据权利要求1所述的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，包括有保护层(2-6)，保护层(2-6)沉积在除两个金属电极(2-3)及两组侧墙单元(2-4)外的砷化镓层(2-2)上表面，若干个沟道(2-5)表面覆盖有保护层(2-6)；保护层(2-6)上表面沉积有绝缘隔离层(2-7)。

3.根据权利要求2所述的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，每组所述侧墙单元(2-4)有一个或多个侧墙组成，侧墙的材质为二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，所述支撑层(2-1)及绝缘隔离层(2-7)的材质均为二氧化硅；保护层(2-6)的材质为三氧化二砷、五氧化二砷或三氧化二镓。

5.根据权利要求3所述的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，金属电极(2-3)为Ni/AuGe/Ni的金属淀积层。

6.根据权利要求3所述的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，沟道(2-5)的形状为中间为条形，两端逐渐收窄，沟道(2-5)的端部与侧墙之间有缝隙。