[发明专利]声波元件及其制造方法

权利要求书

1.一种声波元件的制造方法，包括：

提供成长基板；

在该成长基板上形成解离层(lift-off layer)，该解离层包含III-V族化合物半导体材料；

在该解离层上外延成长压电层，其中该压电层是由压电材料所形成，该III-V族化合物半导体材料的能隙小于该压电材料的能隙；

在该压电层的第一表面上形成第一电极；

提供支撑基板；

接合该第一电极与该支撑基板，其中该第一电极与该支撑基板之间具有接合界面；

移除该成长基板；以及

在该压电层的第二表面上形成第二电极，该第二表面为该第一表面的相反面。

2.如权利要求1所述的声波元件的制造方法，其中该压电材料包括AlN。

3.如权利要求1所述的声波元件的制造方法，其中该解离层具有超晶格(superlattice)结构。

4.如权利要求3所述的声波元件的制造方法，其中该超晶格结构包括第一半导体层与第二半导体层堆叠而成的交替膜层，该第一半导体层包括Al_xGa_1-xN且该第二半导体层包括Al_yGa_1-yN，且其中y大于x，且x与y各自介于0至1.0之间的范围。

5.如权利要求4所述的声波元件的制造方法，其中该第二半导体层的能隙介于该压电材料的能隙与该第一半导体层的能隙之间。

6.如权利要求4所述的声波元件的制造方法，其中移除该成长基板的步骤包括以激光照射该解离层，其中该激光的能隙介于该第二半导体层的能隙与该第一半导体层的能隙之间。

7.一种声波元件，包括：

基板；

第一电极，位于该基板之上，其中该基板与该第一电极之间具有接合界面；

压电层，位于该第一电极上，其中该压电层于002晶相的X光绕射图谱中包含半高宽介于10arc-sec至3600arc-sec之间的范围；以及

第二电极，位于该压电层上。

8.如权利要求7所述的声波元件，其中该接合界面为非金属键键结的界面。

9.如权利要求8所述的声波元件，其中该接合界面为共价键键结界面或粘着界面。

10.如权利要求7所述的声波元件，其中该压电层与该第一电极接触的下表面以及该压电层与该第二电极接触的上表面为平坦表面，且其中该上表面与该下表面的粗糙度(Ra)介于0.01nm至5nm之间的范围。