[发明专利]包括RC-IGBT的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件（100），包括：

半导体衬底（102），包括具有二极管区域（106）的RC-IGBT，其中，所述二极管区域（106）包括：

p掺杂阳极区（112）；以及

n掺杂发射极效率调节区（114），其中，所述阳极区（112）或所述n掺杂发射极效率调节区（114）中的至少一个包括深能级掺杂剂（1181、1182）；

其中，所述阳极区（112）或所述n掺杂发射极效率调节区（114）中的至少一个包括浅能级掺杂剂（1161、1162）和深能级掺杂剂（1181、1182）的组合。

2.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件（100），其中，所述半导体衬底（102）是硅半导体衬底，并且其中，所述阳极区（112）包括硼、铝或镓中的至少一种作为浅能级受主以及包括铟作为深能级受主。

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件（100），其中，所述半导体衬底（102）是硅半导体衬底，并且其中，所述n掺杂发射极效率调节区包括磷、砷或锑中的至少一种作为浅能级施主，以及包括硒、碲或硫中的至少一种作为深能级施主。

4.根据权利要求1所述的半导体器件（100），其中，所述半导体衬底（102）是碳化硅半导体衬底，并且其中，所述阳极区（112）包括铝作为浅能级受主以及包括镓或硼中的至少一种作为深能级受主。

5.根据权利要求1或4中任一项所述的半导体器件（100），其中，所述半导体衬底（102）是碳化硅半导体衬底，并且其中，所述n掺杂发射极效率调节区（114）包括磷或氮中的至少一种作为浅能级施主，以及包括铬、硒或硫中的至少一种作为深能级施主。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件（100），其中，在沿着垂直于所述半导体衬底（102）的第一主表面（110）的所述n掺杂发射极效率调节区（114）的延伸的至少区段中，浅能级施主浓度与深能级施主浓度之间的比在从0到20倍的范围中。

7.根据前一权利要求所述的半导体器件（100），其中，在沿着垂直于所述第一主表面（110）的所述阳极区（112）的延伸的至少区段中，浅能级受主浓度与深能级受主浓度之间的比在从0到20倍的范围中。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件（100），进一步包括：

垂直于所述半导体衬底（102）的第一主表面（110）延伸的多个第一沟槽结构（108），其中，所述p掺杂阳极区（112）由所述多个第一沟槽结构（108）中的一对（109）横向限制。

9.根据前一权利要求所述的半导体器件（100），其中，所述n掺杂发射极效率调节区（114）至少部分地由所述多个第一沟槽结构（108）的所述对（109）横向限制。

10.根据前两项权利要求中任一项所述的半导体器件（100），其中，所述多个第一沟槽结构（108）的所述对（109）中的每个沟槽结构包括电介质（1081）和电极（1082），其中，所述电极（1082）电连接到所述IGBT（104）的第一负载端子（L1）。

11.根据前三项权利要求中任一项所述的半导体器件（100），其中，所述RC-IGBT包括：

IGBT区域（104）中的多个第二沟槽结构（128），所述多个第二沟槽结构（128）垂直于所述半导体衬底（102）的所述第一主表面（110）延伸，其中，每个所述第二沟槽结构（128）包括栅极电介质（1281），并且所述第二沟槽结构（128）中的至少一些包括电连接到栅极端子的栅电极（1282）。

12.根据前一权利要求所述的半导体器件（100），其中，所述二极管区域（106）至少部分地被所述IGBT区域（104）包围。